GaN基绿光LED材料蓝带发光对器件特性的影响

摘要

分析比较了在不同外延生长条件下 Ga N基高 In组分绿光 L ED材料室温和低温 10 K下光致发光谱中蓝带发光峰 ,研究了外延结构中 p型层蓝带峰发光特性对材料晶体质量和器件电光转换效率的影响 .结果表明 :通过优化 p型层的外延生长条件 ,可有效降低和消除其蓝带发光峰较之多量子阱主峰的相对强度 ,有利于提高 L ED器件特别是高 In组分绿光 L ED器件在同等注入电流条件下的发光功率 .