Analysis on The Ageing Mechanism of GaN-based Blue and Green LED by Electrical Stresses

摘要

对IngAn/gAn多量子阱蓝光和绿光lEd进行了室温20,40,60 MA加速电流下的电应力老化研究,发现蓝光与绿光样品经过60 MA电流老化424 H后,其电学性能表现出一定的共性与差异性:在小测量电流下,绿光样品的光衰减幅度较蓝光样品大~9%;而在较大测量电流(20 MA)下,两者的光衰减幅度基本相同(18%)。同时,蓝绿光样品的正向电学性能随老化时间的变化幅度基本一致,反映出它们具有相似的退化机制,绿光样品老化后增多的缺陷大部分体现为简单的漏电行为,而并非贡献于非辐射复合中心。在此基础上对gAn基外延结构进行了优化,优化后的lEd长期老化的光衰减幅度较参考样品降低了3%。