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机译:用于纳米级CMOS技术的单事件多重容错SRAM单元设计
机译:商业批量65nm CMOS SRAM和触发器中的单事件翻转和多单元翻转建模
机译:多层字线驱动器,可在纳米级CMOS技术中实现可靠的SRAM设计
机译:针对纳米技术的单事件多重效应的鲁棒SRAM单元设计
机译:商业批量65 nm CMOS SRAM和触发器中的单事件翻转和多单元翻转建模
机译:在16NM技术中使用FinFET和CMOS的8T SRAM单元的设计与性能评估
机译:使用I3T25 CMOS技术开发的有源元件设计信号发生器用于单路IC封装实现照度到频率的转换
机译:纳米级CMOS技术的单一事件多次易易宽容的SRAM单元设计
机译:辐照16K CmOs sRam中的单事件干扰。