首页> 外文OA文献 >Single event multiple upset-tolerant SRAM cell designs for nano-scale CMOS technology

【2h】

Single event multiple upset-tolerant SRAM cell designs for nano-scale CMOS technology

机译：纳米级CMOS技术的单一事件多次易易宽容的SRAM单元设计

代理获取

本网站仅为用户提供外文OA文献查询和代理获取服务，本网站没有原文。下单后我们将采用程序或人工为您竭诚获取高质量的原文，但由于OA文献来源多样且变更频繁，仍可能出现获取不到、文献不完整或与标题不符等情况，如果获取不到我们将提供退款服务。请知悉。

页面导航

著录项
引文网络
相似文献
相关主题

著录项

作者
Ramin RAJAEI; Bahar ASGARI; Mahmoud TABANDEH; Mahdi FAZELI;
展开▼
作者单位

展开▼
年度 2017
总页数
原文格式 PDF
正文语种
中图分类

相似文献

外文文献
中文文献
专利

1. Single event multiple upset-tolerant SRAM cell designs for nano-scale CMOS technology [J] . RAMIN RAJAEI, BAHAR ASGARI, MAHMOUD TABANDEH, Turkish Journal of Electrical Engineering and Computer Sciences . 2017,第2期

机译：用于纳米级CMOS技术的单事件多重容错SRAM单元设计
2. Single Event Upset and Multiple Cell Upset Modeling in Commercial Bulk 65-nm CMOS SRAMs and Flip-Flops [J] . Uznanski S., Gasiot G., Roche P., Nuclear Science, IEEE Transactions on . 2010,第4期

机译：商业批量65nm CMOS SRAM和触发器中的单事件翻转和多单元翻转建模
3. Multi-level wordline driver for robust SRAM design in nano-scale CMOS technology [J] . Farshad Moradi, Georgios Panagopoulos, Georgios Karakonstantis, Microelectronics journal . 2014,第1期

机译：多层字线驱动器，可在纳米级CMOS技术中实现可靠的SRAM设计
4. Single event upset and multiple cell upset modeling in commercial bulk 65 nm CMOS SRAMs and flip-flops [C] . Uznanski Slawosz, Gasiot Gilles, Roche Philippe, 2009 European Conference on Radiation and Its Effects on Components and Systems . 2009

机译：商业批量65 nm CMOS SRAM和触发器中的单事件翻转和多单元翻转建模
5. Design and Performance Evaluation of 8T SRAM Cell Using FinFET and CMOS at 16nm Technology [D] . Mandadi, Prasanth. 2021

机译：在16NM技术中使用FinFET和CMOS的8T SRAM单元的设计与性能评估
6. Design of Signal Generators Using Active Elements Developed in I3T25 CMOS Technology Single IC Package for Illuminance to Frequency Conversion [O] . Roman Sotner, Jan Jerabek, Ladislav Polak, 2020

机译：使用I3T25 CMOS技术开发的有源元件设计信号发生器用于单路IC封装实现照度到频率的转换
7. Analysis of single-ended 6T SRAM cell in 90nm CMOS technology and implementation of charge recycling memory architecture [O] . Ting Chien-Yu Hans 2007

机译：90nm CMOS技术的单端6T SRAM单元分析和电荷回收存储架构的实现
8. Single Event Upset in Irradiated 16K CMOS SRAMs. [R] . Axness, C. L., Schwank, J. R., Winokur, P. S., 1990

机译：辐照16K CmOs sRam中的单事件干扰。

Single event multiple upset-tolerant SRAM cell designs for nano-scale CMOS technology

著录项

引文网络

相似文献

相关主题

期刊订阅