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首页> 外文期刊>Applied Surface Science >Si-rich a-Si_(1-x)C_x thin films by d.c. magnetron co-sputtering of silicon and silicon carbide: Structural and optical properties
【24h】

Si-rich a-Si_(1-x)C_x thin films by d.c. magnetron co-sputtering of silicon and silicon carbide: Structural and optical properties

机译：d.c的富硅a-Si_（1-x）C_x薄膜磁控溅射硅和碳化硅的共溅射：结构和光学性质

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摘要

Si-rich hydrogenated amorphous silicon carbide (a-Si_(1-x)C_x:H) thin films with different carbon fractions were elaborated by a d.c. magnetron sputtering system. Their structural and optical properties were investigated by UV-visible spectrophotometry, infrared spectroscopy (FTIR), secondary ion mass spec-troscopy (SIMS), Raman spectroscopy and photoluminescence (PL). The results show that the increase in the carbon fraction induces an increase in the optical gap (E_g) up to a maximum value of 2.53 eV, corresponding to a carbon fraction (x) of 0.25, and then E_g decreases to 1.76 eV corresponding to a carbon fraction x=0.33.
机译：用d.c制作了具有不同碳含量的富硅氢化非晶碳化硅（a-Si_（1-x）C_x：H）薄膜。磁控溅射系统。通过紫外可见分光光度法，红外光谱（FTIR），二次离子质谱（SIMS），拉曼光谱和光致发光（PL）研究了它们的结构和光学性质。结果表明，碳分数的增加会引起光学间隙（E_g）的增加，直至最大值2.53 eV，对应于碳分数（x）0.25，然后E_g减小至1.76 eV，对应于碳原子数a。碳分数x ＝ 0.33。

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  • 来源
    《Applied Surface Science》 |2013年第15期|94-100|共7页
  • 作者

    M.A. Ouadfel; A. Keffous; A.Brighet; N.Gabouze; T.Hadjersi; A.Cheriet; M.Kechouane; A. Boukezzata; Y. Boukennous; Y. Belkacem; H. Menari;

  • 作者单位

    Centre de Recherche en Technologie des Semiconducteurs pour l'Energetique (C.R.T.S.E), 02 Bd. Frantz FANON, B.P. 140, Algiers 16027, Algeria,Semiconductors Thin Films Laboratory, Physical Faculty, Houari Boumediene University, (U.S.T.H.B), Algiers 16000, Algeria;

    Centre de Recherche en Technologie des Semiconducteurs pour l'Energetique (C.R.T.S.E), 02 Bd. Frantz FANON, B.P. 140, Algiers 16027, Algeria;

    Semiconductors Thin Films Laboratory, Physical Faculty, Houari Boumediene University, (U.S.T.H.B), Algiers 16000, Algeria;

    Centre de Recherche en Technologie des Semiconducteurs pour l'Energetique (C.R.T.S.E), 02 Bd. Frantz FANON, B.P. 140, Algiers 16027, Algeria;

    Centre de Recherche en Technologie des Semiconducteurs pour l'Energetique (C.R.T.S.E), 02 Bd. Frantz FANON, B.P. 140, Algiers 16027, Algeria;

    Centre de Recherche en Technologie des Semiconducteurs pour l'Energetique (C.R.T.S.E), 02 Bd. Frantz FANON, B.P. 140, Algiers 16027, Algeria;

    Semiconductors Thin Films Laboratory, Physical Faculty, Houari Boumediene University, (U.S.T.H.B), Algiers 16000, Algeria;

    Centre de Recherche en Technologie des Semiconducteurs pour l'Energetique (C.R.T.S.E), 02 Bd. Frantz FANON, B.P. 140, Algiers 16027, Algeria;

    Centre de Recherche en Technologie des Semiconducteurs pour l'Energetique (C.R.T.S.E), 02 Bd. Frantz FANON, B.P. 140, Algiers 16027, Algeria;

    Centre de Recherche en Technologie des Semiconducteurs pour l'Energetique (C.R.T.S.E), 02 Bd. Frantz FANON, B.P. 140, Algiers 16027, Algeria;

    Centre de Recherche en Technologie des Semiconducteurs pour l'Energetique (C.R.T.S.E), 02 Bd. Frantz FANON, B.P. 140, Algiers 16027, Algeria;

  • 收录信息
  • 原文格式 PDF
  • 正文语种 eng
  • 中图分类
  • 关键词

    silicon carbide; amorphous films; raman; SIMS;

    机译：碳化硅非晶膜拉曼模拟人生;

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