首页> 中国专利> MgxZn1-xO薄膜的双靶射频磁控共溅射制备方法

MgxZn1-xO薄膜的双靶射频磁控共溅射制备方法

摘要

MgxZn1-xO薄膜的双靶射频磁控共溅射制备方法属于光电功能材料制造技术领域。已知技术需要根据所需制备的MgxZn1-xO薄膜的不同,分别制作对应x值的MgxZn1-xO陶瓷靶材,制作工作量大,靶材不一定完全消耗,产生浪费,所制备的MgxZn1-xO薄膜化学计量比偏离MgxZn1-xO陶瓷靶材的化学计量比。本发明采用双靶共溅射制备方式,即在两个溅射靶上分别固定ZnO陶瓷靶材和MgO陶瓷靶材,分别提供溅射功率,同时分别溅射,在衬底上生长MgxZn1-xO薄膜。本发明可应用于制备具有紫外探测、可见及紫外光发射作用的半导体光电功能材料MgxZn1-xO薄膜。

著录项

  • 公开/公告号CN101285173A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2008-10-15

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 长春理工大学;

    申请/专利号CN200810050782.4

  • 申请日2008-06-04

  • 分类号C23C14/36(20060101);C23C14/08(20060101);C23C14/54(20060101);

  • 代理机构22001 长春科宇专利代理有限责任公司;

  • 代理人曲博

  • 地址 130022 吉林省长春市朝阳区卫星路7989号

  • 入库时间 2023-06-18 17:31:09

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2011-09-14

    发明专利申请公布后的驳回 IPC(主分类):C23C14/36 公开日:20081015 申请日:20080604

    发明专利申请公布后的驳回

  • 2008-12-10

    实质审查的生效

    实质审查的生效

  • 2008-10-15

    公开

    公开

相似文献

  • 专利
  • 中文文献
  • 外文文献
获取专利

客服邮箱:kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备:11010802029741号 ICP备案号:京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有
  • 客服微信

  • 服务号