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公开/公告号CN101285173A
专利类型发明专利
公开/公告日2008-10-15
原文格式PDF
申请/专利权人 长春理工大学;
申请/专利号CN200810050782.4
发明设计人 张希艳;刘全生;王晓春;柏朝晖;米晓云;卢利平;王能利;
申请日2008-06-04
分类号C23C14/36(20060101);C23C14/08(20060101);C23C14/54(20060101);
代理机构22001 长春科宇专利代理有限责任公司;
代理人曲博
地址 130022 吉林省长春市朝阳区卫星路7989号
入库时间 2023-06-18 17:31:09
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2011-09-14
发明专利申请公布后的驳回 IPC(主分类):C23C14/36 公开日:20081015 申请日:20080604
发明专利申请公布后的驳回
2008-12-10
实质审查的生效
2008-10-15
公开
机译: 使用磁控共溅射和可穿戴电子设备的可拉伸混合薄膜电极
机译: 磁控共溅射制备金属掺杂ZnO薄膜的方法
机译: 磁控共溅射制备掺杂金属的ZNO薄膜的方法
机译:射频磁控共溅射Zn_xCd_(1-x)S薄膜的生长优化在太阳能电池中的应用
机译:Target掺杂双靶磁控共溅射系统抑制ZnSnO薄膜晶体管的负偏置照明不稳定性
机译:dual掺杂对双靶磁控共溅射HfZnSnO薄膜晶体管中态密度的影响
机译:双靶磁控共溅射制备a-InGaAs:H薄膜的光电性能
机译:磁控共溅射沉积组成梯度锶锶镧锰矿薄膜的综合研究。
机译:射频磁控反应共溅射沉积CaO–CoO薄膜的两相转变法生长CaxCoO2薄膜
机译:射频磁控共溅射纳米结构金掺杂氧化锌薄膜的生长与表征
机译:用于涂覆ICF靶的磁控共溅射系统。