Erratum: “High performance solution-deposited amorphous indium gallium zinc oxide thin film transistors by oxygen plasma treatment” [Appl. Phys. Lett. 100, 202106 (2012)]

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• 来源
  《Applied Physics Letters》 |2014年第24期|1-1|共1页
• 作者

  Nayak Pradipta K.; Hedhili M.N.; Cha Dongkyu; Alshareef H.N.;

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• 作者单位

  Materials Science and Engineering, King Abdullah University of Science and Technology (KAUST), Thuwal 23955-6900, Saudi Arabia;

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• 收录信息 美国《科学引文索引》(SCI);美国《工程索引》(EI);美国《生物学医学文摘》(MEDLINE);
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• 正文语种 eng
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