机译:室温紫外臭氧氧化生长超薄ZrO_2和HfO_2高K电介质的电荷俘获研究
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机译:使用ALD生长的高K ZrO_2作为电荷俘获层的TANOS电荷俘获闪存单元的堆叠工程
机译:高k HfO_2和HFO_2 / Al_2O_3 / HfO_2电池堆的结构稳定性和电荷陷阱性质研究
机译:原子层沉积生长的超薄高K介质:ZrO_2,HfO_2,Y_2O_3和A1_2O_3的比较研究
机译:高k电介质的电荷陷阱闪存。
机译:四(二甲基氨基)锆和臭氧原子层沉积生长的高k ZrO2薄膜的结构和介电性能
机译:具有超薄等离子体 - 氮化SiON电介质的P沟道金属氧化物半导体场效应晶体管负偏置温度不稳定性下的界面阱和氧化物电荷产生
机译:区域熔化 - 重结晶硅 - 绝缘体薄膜上产生的缺陷相关介电击穿,变化陷阱和界面态氧化物生成