Yale University.;
机译:使用ALD生长的高K ZrO_2作为电荷俘获层的TANOS电荷俘获闪存单元的堆叠工程
机译:通过使用成分调制的高k陷阱层提高电荷陷阱闪存的性能
机译:Al_2O_3 / HfO_2多层高k电介质堆栈,用于电荷陷阱闪存
机译:具有高k陷阱层和阻挡层的分裂门型电荷陷阱非易失性存储器的Sub-6V操作,用于高速和高度可靠的嵌入式闪存
机译:电荷陷阱晶体管(CTT):将逻辑晶体管转换为高级高k /金属门CMOS技术的嵌入式非易失性存储器
机译:通过利用氧化铝的高介电常数和高带隙低功率和闪光阵列的低功率和闪光阵列的保留增强
机译:高k复合材料与si的介电常数和导带相对水平在提高电荷俘获存储器件存储性能中的作用