电介质界面中具有电荷俘获的紧凑型非易失性存储器器件

摘要

本申请涉及电介质界面中具有电荷俘获的紧凑型非易失性存储器器件。每个存储器单元是在电介质界面中具有电荷俘获的类型，并且包括可由埋置在衬底中的垂直选择晶体管选择并且包括埋置的选择栅极的状态晶体管。存储器单元的列包括双生存储器单元对。双生存储器单元对中的两个选择晶体管具有共同的选择栅极，并且双生存储器单元对中的两个状态晶体管具有共同的控制栅极。对于每一对双生存储器单元，该器件还包括电介质区域，电介质区域位于控制栅极和衬底之间并且与共同的选择栅极重叠，以便在选择栅极的任一侧上形成分别专用于两个双生存储器单元的两个电荷俘获电介质界面。