机译:室温紫外臭氧氧化生长超薄ZrO_(2)和HfO_(2)高k电介质的电荷俘获研究
Department of Materials Science and Engineering, Stanford University, Stanford, California 94305;
机译:室温紫外臭氧氧化生长超薄ZrO_2和HfO_2高K电介质的电荷俘获研究
机译:自组装单层抗蚀剂,用于HfO_(2)和ZrO_(2)高k栅极电介质的原子层沉积
机译:超薄ZrHfO / SiON高k栅堆叠的介电击穿和电荷陷阱
机译:金属栅功函数和高k阻挡电介质的固定氧化物电荷对NAND型电荷陷阱闪存器件存储性能的影响
机译:高k电介质的电荷陷阱闪存。
机译:四(二甲基氨基)锆和臭氧原子层沉积生长的高k ZrO2薄膜的结构和介电性能
机译:具有超薄等离子体 - 氮化SiON电介质的P沟道金属氧化物半导体场效应晶体管负偏置温度不稳定性下的界面阱和氧化物电荷产生
机译:区域熔化 - 重结晶硅 - 绝缘体薄膜上产生的缺陷相关介电击穿,变化陷阱和界面态氧化物生成