GaN, HEMT, high gate, multi-recessed buffer, power density, power-added efficiency;
机译:p-GaN栅极AlGaN / GaN HEMT中无意识掺杂的GaN缓冲层中的陷阱引起的负跨导效应
机译:无意识掺杂的GaN缓冲层中陷阱水平对优化的p-GaN栅极AlGaN / GaN HEMT的影响
机译:用于电力电子应用的Hybrid Algan缓冲层的高击穿电压P-Gan-Gate GaN HEMT的仿真设计
机译:GaN衬底与无C掺杂GaN缓冲层的GaN衬底侧栅调制响应的比较
机译:研究常关模式的AlGaN / GaN MOS HEMT器件,该器件利用栅极后退和p-GaN栅极结构以及带有醛生长的高k栅极绝缘体来实现高功率应用。
机译:使用AlGaN / GaN / AlGaN量子阱电子阻挡层的AlGaN / GaN HEMT中的高击穿电压
机译:具有高浇口和多嵌入缓冲器的新型高能效AlGaN / GaN Hemt
机译:自对准aLD alOx T栅极绝缘体,用于siNx钝化alGaN / GaN HEmT中的栅极漏电流抑制