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公开/公告号CN214672629U
专利类型实用新型
公开/公告日2021-11-09
原文格式PDF
申请/专利权人 成都信息工程大学;
申请/专利号CN202121239718.8
发明设计人 罗启宇;陈子煊;李霆威;左建伟;杨博;施媛媛;
申请日2021-06-04
分类号H01L29/778(20060101);H01L29/06(20060101);H01L29/423(20060101);
代理机构11429 北京中济纬天专利代理有限公司;
代理人李蜜;钟玉巧
地址 610200 四川省成都市西南航空港经济开发区学府路1段24号
入库时间 2022-08-23 01:41:28
机译: Si衬底上的增强型GaN基HEMT器件及其制造方法
机译: 基于SI基体的增强型基于GAN的HEMT器件及其制造方法
机译: 增强型GaN HEMT器件及其制造方法
机译:高漏极偏置可靠性测试下GaN HEMT器件的物理性能下降
机译:L-G 20 nm T型栅极增强模式的DC和微波特性Al0.5Ga0.5n / Aln / GaN / Al0.08ga0.92N高电子移动性晶体管,用于下一代高功率毫米波应用
机译:使用高k ZrO_2薄膜作为栅极电介质的等离子增强型柔性金属绝缘体-金属电容器,具有更高的可靠性
机译:高性能块状平面20nm替代栅极high-k金属栅极技术的内在电介质堆叠可靠性以及与28nm栅极首次高k金属栅极工艺的比较
机译:研究常关模式的AlGaN / GaN MOS HEMT器件,该器件利用栅极后退和p-GaN栅极结构以及带有醛生长的高k栅极绝缘体来实现高功率应用。
机译:AlGaN / GaN高电子迁移率氟处理和凹槽通过氟处理和凹陷栅极充电效果
机译:使用La2O3高k氧化物栅极绝缘体的alGaN / GaN mOs-HEmT器件性能
机译:用于增强型GaN FET的新型半桥栅极驱动器,Lm5113型,宽温度范围