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徐守利; 张鸿亮; 郎秀兰; 杨光晖; 倪涛; 段雪; 刘京亮; 许春良;
中国电子科技集团公司第十三研究所;
雪崩三极管; 开关导通特性; 雪崩击穿;
机译:太赫兹条件下基于宽带隙III–V氮化物的雪崩渡越时间二极管:击穿对器件高频特性和串联电阻的影响研究
机译:两步MESA结构GaN P-N二极管,具有低导通电阻,高击穿电压和优异的雪崩功能
机译:具有高雪崩击穿电压和低导通电阻的新型截断V槽4H-SiC MOSFET
机译:具有高雪崩击穿电压和低特定导通电阻的新型截短的V形槽4H-SIC MOSFET
机译:雪崩放大型固态成像装置的元件结构和特性研究
机译:定位敏感雪崩光电二极管的时序特性研究
机译:al1-xGaxas0.56sb0.44四元合金的雪崩击穿特性
机译:扫描电子显微镜在电流倍增,雪崩击穿和热失控研究中的应用。第2部分 - 一般研究,主要是非热学
机译:具有场电极和改进的雪崩击穿特性的晶体管
机译:具有改善的雪崩击穿特性的晶体管
机译:具有动态雪崩击穿特性的半导体器件及其制造方法
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