半绝缘砷化镓雪崩开关快速导通特性

摘要

多雪崩畴的形成和发展使半绝缘砷化镓雪崩开关具备百皮秒的快速导通能力.光子注入和雪崩空穴注入提供了初始偶极子的负、正电荷层,偶极子向阳极运动过程中成长为成熟的雪崩畴.随着畴内载流子倍增,畴的宽度减小,畴内的电场提高,产生了更多数量的雪崩畴,多雪崩畴共同向阳极运动,使得开关体内的载流子浓度进一步提高,这也形成了一个正的反馈过程.根据模拟研究结果,给出了半绝缘砷化家雪崩开关快速导通的物理过程和延迟击穿特征.