具有改进的雪崩击穿特性的晶体管

摘要

提供了一种具有改进的雪崩击穿特性的晶体管，其包括至少一个晶体管单元。该至少一个晶体管单元包括：位于半导体主体中的第一掺杂类型的漂移区、第一掺杂类型的源极区、第二掺杂类型的体区以及第一掺杂类型的漏极区；邻近体区并且通过栅极电介质与体区介电绝缘的栅极电极；布置在漂移区中并且与漂移区介电绝缘的场电极；源极电极，其电连接至源极区和体区并且布置在自第一表面延伸进半导体主体中的沟槽中；漏极电极，其电连接至漏极区并且布置自第一表面延伸到半导体主体中的沟槽中；雪崩旁通结构，其耦合在源极电极和漏极电极之间，并且包括第一掺杂类型的第一半导体层、第一掺杂类型的第二半导体层以及布置在第一半导体层和源极电极之间的pn结。