机译:两步MESA结构GaN P-N二极管,具有低导通电阻,高击穿电压和优异的雪崩功能
Hosei Univ Res Ctr Micronano Technol Koganei Tokyo 1848584 Japan;
Hosei Univ Res Ctr Micronano Technol Koganei Tokyo 1848584 Japan;
Sciocs Co Ltd Engn Dept Hitachi Ibaraki 3191418 Japan;
Sciocs Co Ltd Engn Dept Hitachi Ibaraki 3191418 Japan;
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Hosei Univ Res Ctr Micronano Technol Koganei Tokyo 1848584 Japan;
Gallium nitride; P-n junctions; Periodic structures; Electric fields; Electrodes; Semiconductor diodes; Breakdown voltage; Breakdown voltage; gallium nitride; power semiconductor devices;
机译:具有深蚀刻台面的垂直GaN p-n二极管和雪崩击穿能力
机译:具有高雪崩能力的4.9 kV击穿电压垂直GaN p-n结二极管
机译:4.9 kV击穿电压垂直GaN P-n结二极管具有高雪崩功能
机译:高击穿电压台面结构垂直GaN p-n结二极管的电化学刻蚀稳定制备
机译:具有高击穿电压和低导通电阻的新型沟槽横向功率MOSFET
机译:在SiNx钝化层中注入氟离子的高击穿电压和低动态导通电阻AlGaN / GaN HEMT
机译:具有改进的MESA结构的高击穿电压垂直GaN-On-GaN P-I-N二极管的研究