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赵佶;
纳米; 半导体产业; 晶体管; 制程; 节点; 成本估计; 晶圆; 选项; 挑战; 折旧成本;
机译:FinFET向面向CMOS技术扩展的堆叠纳米线FET的演进
机译:鳍片带入半导体的未来:当前的路线图表明,FinFET技术在半导体开发中起着重要作用。
机译:批量FinFET技术中工艺选项对ESD二极管性能的影响
机译:直接间隙半导体的强度依赖简并和非简并非线性光学吸收
机译:离子注入半导体上毫秒激光退火的研究及其在规模化finfet技术中的应用。
机译:并非所有的无标度网络都是平等的:种子图在PPI网络演进中的作用
机译:鳍片间可流动氧化物硬化FinFETs的选项。
机译:垂直鳍式场效应晶体管(V-FinFET),具有V-FinFET的半导体器件以及制造V-FinFET的方法
机译:垂直鳍场效应晶体管(V-FinFET),具有V-FinFET的半导体器件以及制造V-FinFET的方法
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