公开/公告号CN104916541B
专利类型发明专利
公开/公告日2018-05-25
原文格式PDF
申请/专利权人 台湾积体电路制造股份有限公司;
申请/专利号CN201410310863.9
申请日2014-06-30
分类号
代理机构北京德恒律治知识产权代理有限公司;
代理人章社杲
地址 中国台湾新竹
入库时间 2022-08-23 10:11:18
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2018-05-25
授权
授权
2015-10-14
实质审查的生效 IPC(主分类):H01L21/336 申请日:20140630
实质审查的生效
2015-09-16
公开
公开
机译: 形成半导体器件和FinFET器件的方法以及FinFET器件
机译: 形成半导体器件和FinFET器件的方法以及FinFET器件
机译: 形成具有独特栅极配置的FinFET半导体器件的方法以及所得的FinFET器件