FinFET器件结构发展综述

熊倩; 马奎; 杨发顺

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随着集成电路技术日新月异的发展,器件尺寸不断缩小,当场效应晶体管沟道缩短至22 nm以后,传统平面场效应晶体管不再满足发展的需求.FinFET是一种新型的三维器件,由于良好的性能目前被广泛研究应用.主要介绍了FinFET器件的基础结构以及基础工艺流程,以及在基础结构上所发展起来的一些改良后的FinFET器件结构.最后结合实际对未来FinFET器件结构的发展寄予展望.

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来源
《电子技术应用》|2021年第1期|21-27|共7页
作者
熊倩; 马奎; 杨发顺;
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作者单位

贵州大学大数据与信息工程学院贵州贵阳550025;

贵州大学大数据与信息工程学院贵州贵阳550025;

半导体功率器件可靠性教育部工程研究中心贵州贵阳550025;

贵州大学大数据与信息工程学院贵州贵阳550025;

半导体功率器件可靠性教育部工程研究中心贵州贵阳550025;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类场效应器件;
关键词
场效应晶体管; FinFET; 器件结构; 工艺;
入库时间 2022-08-20 06:19:47

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