晶圆

摘要： 新一代集成电路工艺要求晶圆越来越薄,其后处理加工的难度增大.通过各单元模块化的结构设计,有效地将晶圆的“清洗—干燥—检测”3种后处理技术集成起来,整体工艺处理流程时间平均缩短了47.5%.通过改进异丙醇雾化法,有效地提高晶圆干燥的效率,相较于传统的干燥方式,每片晶圆有效面积内残留水痕面积减少38.4%,检测正确率达到99.12%,实验结果验证该装置集成方式对于晶圆后处理工艺优化的优越性.

摘要： 随着国内半导体和集成电路产业的蓬勃发展,晶圆作为这类行业的核心组成部分,其品质直接影响了行业的健康发展。而温度作为基础参数,其精确监测和控制都至关重要。在晶圆的生产及加工工艺中,温度轻微的非期望偏差都会严重破坏晶圆性能一致性,导致良率下降。本文综合分析了几种晶圆测温方式,主要围绕如何排除热电偶测温结点易脱落以及引线对晶圆表面的污染和损伤等难点,提出一种热电偶嵌入式晶圆测温片的改进设计,对国内相关产品的研发具有一定的借鉴意义。

摘要： 从SiC晶棒切割工艺需求与技术特点出发,对比分析了激光冷分离技术的应用优势,详细介绍了激光冷分离技术研制过程中的关键技术和难点技术,最后对该技术未来发展趋势进行了展望。

摘要： 提出了在全自动晶圆磨边设备中对晶圆平面度误差的等角度单圆周测量方案,讲述了最小二乘法的算法原理;并根据最小二乘法的算法原理,基于Matlab软件编写平面度误差评定及其结果的可视化程序;运行程序对全自动磨边机测量的数据进行处理,程序运行结果表明,该算法运行稳定可靠,能够快速确定最小二乘法平面方程和评定平面度误差。

摘要： 继消费、电信/数据通信和较低级别汽车应用后,功率氮化镓(GaN)的下一波浪潮即将到来,2027年市场规模可达20亿美元。这是市场研究和战略咨询公司Yole Dédevelopement(Yole)全面研究后得出的结论。Yole化合物半导体团队发布的年度报告《Power GaN 2022》指出,GaN功率器件正在不同应用中渗透,从器件到不同粒度的晶圆都在增长。

摘要： 化学机械抛光CMP工艺是集成电路制造的核心技术,90%以上的高端CMP机台设备和抛光液、抛光垫等关键耗材均被国外供应商垄断。阐述CMP国产设备与大尺寸晶圆片生产线的有效结合,达到产学研合作攻关的目的,有利于快速提升我国CMP工艺设备水平,形成自主可控的产业链。

摘要： 提出了一种使用机器学习的方式实现激光划片机中晶圆精确对准的新算法.算法采用图像传感器采集晶圆图像,经过深度神经网络学习,建立机器学习模型.借助模型泛化过程实现晶圆粗对准.在粗对准基础上,进一步采集晶圆图像,并经过特征提取和拟合形成回归模型,使用该模型实现晶圆细对准.在紫外激光划片机平台上进行了实验,经过粗对准和细对准两步,实现了晶圆的精确对准,取得了良好的效果.

摘要： 2020年,台积电营收455亿美元,较2019年増长31.4%;净利176亿美元,较2019年增长57.5%;净利率高达39%,较2019年的32%。增加7个百分点。2020年台积电晶圆出货量达1240万片12英寸晶圆约当量,先进制程技术(16/12/10/7纳米)的销售金额占整体晶圆销售金额的58%,高于2019年的50%。2020年台积电在全球代工领域市场占有率达56%,高于2019年的52%。

摘要： 随着芯片制造商开始转向更先进的技术节点,愈发精细的特征成为了棘手的难题。其中一个主要难点是将芯片设计转到晶圆上的材料,因为当前的材料很快就无法满足精细度要求。为了能及时满足下一代器件的缩放要求,泛林集团推出了一项突破性的干膜光刻胶技术。要更好地了解该解决方案,我们需要首先了解图形化工艺和当前使用的光刻胶,之后再探讨该技术的潜在优势。

摘要： 化学机械抛光CMP工艺是集成电路制造的核心技术,90％以上的高端CMP机台设备和抛光液、抛光垫等关键耗材均被国外供应商垄断.阐述CMP国产设备与大尺寸晶圆片生产线的有效结合,达到产学研合作攻关的目的,有利于快速提升我国CMP工艺设备水平,形成自主可控的产业链.

摘要： 基于机器视觉的晶圆缺陷检测系统是为了实现晶圆宏观缺陷的检测和分类而进行的一项研究课题.由CCD器件采集图象后，通过数字图像处理完成了晶圆缺陷的检测和分割，为以后的缺陷分类作好准备.实验证明，设计的检测系统专业性强，具有一定的应用价值.

摘要： 晶圆的工期预测对于保证订单交付的准时性和平顺性,具有重要的意义.针对晶圆工期预测中候选参数多、数据体量大且作用机理复杂的特点,本文提出数据驱动的晶圆工期预测参数过滤方法.通过分析数据间的关联关系,筛选得到预测模型的输入变量,从而提升晶圆工期的预测精度.首先构建工期预测的数据模型,确定候选输入变量集.然后,基于互信息设计输入变量的入选测度与筛选算法.基于实际的晶圆工期数据,本方法从1202个候选变量中过滤得到78个关键变量,并采用神经网络模型进行工期预测.在大数据集下的数值实验表明,本方法在预测精度和稳定性上都优于采用全局变量的多元线性回归与神经网络方法.

摘要： 首先综述了我国半导体产业近年发展概况，并对我国半导体产业扶持政策做了介绍和评述。在结合半导体工艺用气的基础上，论述了特气相关行业的配套发展问题，同时也介绍了世界及我国知名特气企业的应对措施．

摘要： 首先综述了我国半导体产业近年发展概况，并对我国半导体产业扶持政策做了介绍和评述。在结合半导体工艺用气的基础上，论述了特气相关行业的配套发展问题，同时也介绍了世界及我国知名特气企业的应对措施．

摘要： 首先综述了我国半导体产业近年发展概况，并对我国半导体产业扶持政策做了介绍和评述。在结合半导体工艺用气的基础上，论述了特气相关行业的配套发展问题，同时也介绍了世界及我国知名特气企业的应对措施．

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摘要： 首先综述了我国半导体产业近年发展概况，并对我国半导体产业扶持政策做了介绍和评述。在结合半导体工艺用气的基础上，论述了特气相关行业的配套发展问题，同时也介绍了世界及我国知名特气企业的应对措施．

摘要： 首先综述了我国半导体产业近年发展概况，并对我国半导体产业扶持政策做了介绍和评述。在结合半导体工艺用气的基础上，论述了特气相关行业的配套发展问题，同时也介绍了世界及我国知名特气企业的应对措施．

摘要： 在晶圆到晶圆接合方法中，第一晶圆被真空吸附在下平台的第一表面上，并且第二晶圆被真空吸附在上平台的第二表面上。通过下推动杆将压力施加到第一晶圆的中间部分，并且通过上推动杆将压力施加到第二晶圆的中间部分。第一晶圆和第二晶圆的接合径向向外传播。检测第一晶圆和第二晶圆的接合传播位置。下推动杆的突出长度和上推动杆的突出长度的比率根据接合传播位置而改变。

摘要： 一种晶圆支撑系统，具有晶圆支撑装置(16)和切割框架(14)，其中晶圆支撑装置(16)具有底板(26)和顶板(28)。顶板(28)包括用于支撑晶圆(12)的支撑表面(34)，并且底板(26)具有大于顶板(28)的最大直径(dt)的最大直径(db)，使得底板(26)包括用于切割框架(14)的储存部(32)。切割框架(14)具有限定中心孔(20)的板状形状，其中中心孔(20)的最小直径(dh)大于顶板(28)的最大直径(dt)，使得切割框架(14)下沉到晶圆(12)的上表面和/或支撑表面(34)的下方。此外，提供了晶圆支撑装置(16)，晶圆支撑系统(18)和掩模对准器。

摘要： 本发明提供了一种晶圆刷洗装置、晶圆加工设备及晶圆刷洗控制方法，晶圆刷洗装置包括：刷洗部件，刷洗部件用于与晶圆表面接触，以对晶圆的表面进行刷洗；驱动部件，驱动部件与刷洗部件驱动连接，驱动部件的至少部分沿预设方向可移动地设置，以驱动刷洗部件沿预设方向移动；压力检测部件，刷洗部件和驱动部件均与压力检测部件配合，以通过压力检测部件检测刷洗部件与驱动部件之间的作用力。本发明的晶圆刷洗装置解决了现有技术中的晶圆刷洗装置对晶圆的刷洗效果不佳的问题。

摘要： 本申请提供了一种晶圆、晶圆制备方法及晶圆切割方法。晶圆包括：半导体基底；多个芯片，设置于半导体基底上，其中芯片之间通过切割道间隔开；以及预设沟槽，设置于切割道，并沿切割道的方向延伸，其中，预设沟槽在垂直于半导体基底的第一方向的预定深度小于芯片在第一方向的高度。本申请提供的晶圆不但可降低通过切割得到的芯片的裂片、崩边或破损的风险，而且还可在减少切割工艺对上述芯片的机械强度的影响的同时，提高晶圆切割的生产效率和产品良率。

摘要： 本发明为一种晶圆加工用临时粘合材料，其用于将表面具有电路面且应对背面进行加工的晶圆临时粘合在支撑体上，其特征在于，具备具有第一临时粘合层和第二临时粘合层的至少2层结构的复合临时粘合材料层，第一临时粘合层能够以可剥离的方式粘合在所述晶圆的表面且由热塑性树脂层(A)构成，第二临时粘合层层叠于该第一临时粘合层上且由光固化硅氧烷聚合物层(B)构成。由此提供一种改善加热接合时的晶圆翘曲，具有良好的剥离性与清洗除去性，能够在段差大的基板上以均匀的膜厚形成，对TSV形成工序等的工序适应性高，并且对热工艺的耐受性优异，能够提高薄型晶圆的生产率的晶圆加工体、晶圆加工用临时粘合材料及使用其的薄型晶圆的制造方法。

摘要： 本申请实施例公开一种晶圆盒、晶圆搬运设备、晶圆搬运控制方法、电气设备及存储介质。所述晶圆盒包括相对设置的两个承载件和光源，两个所述承载件围成位于两个所述承载件之间的容纳空间和位于所述容纳空间一侧的取放口，所述容纳空间用于收纳多片平行于第一基准面的晶圆，所述光源设置在所述容纳空间远离所述取放口的一侧，用于朝向所述容纳空间发光，能够达到对晶圆精准对位、搬运与自动化操作的目的。

摘要： 本发明公开了一种晶圆旋转机构，包括：下部机构，用于输出旋转动力；上部机构，可与晶圆旋转基座相连；上部机构和下部机构具有工作状态和分离状态，当处于工作状态，上部机构在下部机构带动下旋转，当处于分离状态，上部机构和下部机构分离；断电状态下，上部机构和下部机构从工作状态切换至分离状态，上部机构带着晶圆旋转基座在惯性作用下旋转直至停止。本发明还公开了一种晶圆旋转夹持机构。本发明又公开了一种晶圆干燥系统、晶圆清洗系统。本发明晶圆旋转夹持机构在通电状态下，传动稳定、可靠；突然断电时，离合机构能立刻断开，晶圆转动夹持机构所在的上部体在惯性作用下缓慢减速至停止转动，确保晶圆放置稳定，避免晶圆碎片。

摘要： 本发明提供一种晶圆对准标记、制作方法、晶圆对准装置及晶圆对准方法，该晶圆对准标记能够在正向偏置导通时产生自发射红外光，利用自发射红外光替代外部入射红外光，使用该晶圆对准标记进行对准时，由于红外光直接从晶圆内产生，避免了外部红外光从外延层入射至衬底时产生的光路损耗。该晶圆对准标记应用广泛，可以应用到功率MOS、IGBT、BCD及超结器件等半导体器件的制造工艺中。此外，与晶圆对准标记配合使用的晶圆对准装置结构简单，无需额外配置He‑Ne激光器，还可利用光源提高红外光的信噪比，在现有的光刻设备中具有较高的实用价值。

摘要： 本申请提供了一种晶圆选取方法、处理设备、晶圆检测系统和晶圆选取设备。该方法包括：获取制程机台制备多个晶圆的制程中采用的目标制程工艺参数；确定选片的预设条件；根据多个晶圆的目标制程工艺参数和预设条件，从多个晶圆中选取目标制程工艺参数满足预设条件的晶圆，得到待量测晶圆。该方案中，根据目标制程工艺参数和预设条件选取需要进行量测的晶圆，即根据目标制程工艺参数并采用预设条件进行选片，这样可以保证选片的准确性，从而可以保证精准地检测到有缺陷的晶圆。

摘要： 本发明公开了一种晶圆传送机械臂、晶圆制造设备以及晶圆传送方法，属于半导体工艺技术领域，解决了现有技术中晶圆在晶圆传送机械臂上的传送过程中大气环境中的各种污染物会对晶圆造成污染导致晶圆在后续的制造过程中产生不良的问题。本发明的晶圆传送机械臂包括叶片基体以及用于提供保护气的供气单元，叶片基体上开设与供气单元连接的通孔，使得保护气通过通孔喷吹叶片基体的上表面。本发明的晶圆传送方法包括如下步骤：保护气喷吹在晶圆传送机械臂的叶片基体的上表面；晶圆从设备前端模块传送至叶片基体上，保护气始终对晶圆进行保护；叶片基体将晶圆传送至传输模块内。本发明的晶圆传送机械臂、晶圆制造设备以及晶圆传送方法可用于晶圆制造。