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高晓萍;
无;
刻蚀; 抗蚀剂材料; 光刻; 微细化; 电子束刻蚀; 深紫外刻蚀;
机译:EBDW光刻中的AZ 5214E抗蚀剂及其在N 2 sub>等离子体中刻蚀薄Ag层时用作RIE刻蚀掩模
机译:推进下一代纳米光刻,渗透合成杂交纳米复合材料抗蚀剂
机译:下一代光刻的抗蚀剂材料设计指南
机译:通过电感耦合等离子体反应离子刻蚀(ICP-RIE)和Ⅲ-Ⅴ材料的原子层刻蚀(ALE)进行低损伤刻蚀,以实现下一代器件性能。
机译:新型树枝状聚合物作为下一代光刻的抗蚀剂材料的设计,合成和评估。
机译:CUO / PMMA聚合物纳米复合材料作为电子束光刻的新型抗蚀剂材料
机译:用于下一代光刻的新型抗蚀剂材料
机译:抗蚀剂用于下一代光刻
机译:用于抗蚀剂子层的材料,用于形成抗蚀剂子层的方法,用于形成图案的方法以及可抑制在基质刻蚀过程中扭曲产生的富勒烯衍生物
机译:在干燥刻蚀过程后能有效消除抗蚀剂和刻蚀残留物的抗蚀剂剥离剂组成
机译:抗反射材料,具有从抗反射材料获得的抗反射层的基质,以及使用抗反射材料的图案形成方法,以改善刻蚀的选择性并获得垂直抗蚀剂图案
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