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刘运宏; 王荣; 孙旭芳; 杨靖波; 段立颖;
北京师范大学射线束技术与材料改性教育部重点实验室,北京,100875;
北京师范大学低能核物理研究所,北京,100875;
北京市辐射中心,北京,100875;
GaAs; 太阳电池; 量子阱; 质子辐照;
机译:CF_4等离子体处理后的结果,GaAs / AlGaAs量子阱结构中非辐射复合中心的密度变化
机译:在GaAs量子阱中引入稀薄的InAs势垒后,增加AIGaAs / GaAs / AIGaAs双势垒异质结构中电子的迁移率
机译:在GaAs量子阱中引入了用于极性光子的薄InAs势垒的结果,两势垒AlGaAs / GaAs / AlGaAs异质结构中的电子迁移率增加
机译:通过引入低氢含量的SiN_x掺杂层用于介电帽量子阱无序化,减少了GaAs / AlGaAs多量子阱结构中的Al-Ga互扩散
机译:基于在结构化衬底上生长的低阈值应变InGaAs / GaAs量子阱激光器的光电器件
机译:MBE制备的I型InGaAsSb双量子阱激光结构的PCSEL性能
机译:GaAs / GaAlAs异质结构和InGaAs / GaAs多量子阱中的氢活化辐射态
机译:高性能平面原生氧化物埋入 - 台面指数引导alGaas-Gaas量子阱异质结构激光器
机译:在具有组合掺杂的GaAs衬底上具有阶梯式量子阱AlGaAs / GaAs / InGaAs / GaAs / AlGaAs的半导体纳米异质结构
机译:具有量子阱-势垒层界面结构的GaAs衬底上的应变层InGaAs量子阱半导体激光器
机译:通过高能离子注入的晶格匹配的InGaAs / InGaAsP多量子阱结构的光电器件外延层结构及其制造方法
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