Повышение подвижности электронов в двухбарьерной гетероструктуре AIGaAs/GaAs/AIGaAs при введение в квантовую яму GaAs тонких InAs-барьеров для пол

Ю. Пожелав; К. Пожела; В. Юцене; С. Балакаускас; В.П. Евтихиев; А.С. Школьник; Ю. Стораста; А. Мекис; J. Pozela; K. Pozela; V. Juciene; S. Balakauskas; V. Evtikhiev; A. Scholnik; J. Storasta; A. Mekys

首页> 外文期刊>Физика и техника полупроводников >Повышение подвижности электронов в двухбарьерной гетероструктуре AIGaAs/GaAs/AIGaAs при введение в квантовую яму GaAs тонких InAs-барьеров для пол

【24h】

Повышение подвижности электронов в двухбарьерной гетероструктуре AIGaAs/GaAs/AIGaAs при введение в квантовую яму GaAs тонких InAs-барьеров для пол

机译：在GaAs量子阱中引入稀薄的InAs势垒后，增加AIGaAs / GaAs / AIGaAs双势垒异质结构中电子的迁移率

获取原文

获取原文并翻译 | 示例

掌桥外文数据库（机构版） >>

开具论文收录证明 >>

文献代查 >>

页面导航

摘要
著录项
相似文献
相关主题

摘要

Захваг и локализация полярных оптических фононов в узких фононных ямах с помощью гонких фононных барьеров многократно снижает скорость электрон-фононного рассеяния на полярных оптических фононах. Экспериментально наблюдается увеличение подвижности и дрейфовой скорости электронов в сильных электрических полях при введении тонких фононных барьеров в квантовую яму AIGaAs/GaAs/AIGaAs.

机译：使用竞赛声子势垒在窄声子阱中捕获和定位极性光学声子大大降低了极性光学声子对电子声子的散射速率。当在AIGaAs / GaAs / AIGaAs量子阱中引入薄声子势垒时，通过实验观察到强电场中电子的迁移率和漂移速度增加。

著录项

来源
《Физика и техника полупроводников》 |2007年第12期|共6页
作者
Ю. Пожелав; К. Пожела; В. Юцене; С. Балакаускас; В.П. Евтихиев; А.С. Школьник; Ю. Стораста; А. Мекис; J. Pozela; K. Pozela; V. Juciene; S. Balakauskas; V. Evtikhiev; A. Scholnik; J. Storasta; A. Mekys;
展开▼
作者单位

展开▼
收录信息
原文格式 PDF
正文语种 rus
中图分类半导体物理学;
关键词

相似文献

外文文献
中文文献
专利

1. Повышение подвижности электронов в двухбарьерной гетероструктуре AIGaAs/GaAs/AIGaAs при введение в квантовую яму GaAs тонких InAs-барьеров для пол [J] . Ю. Пожелав, К. Пожела, В. Юцене, Физика и техника полупроводников . 2007,第12期

机译：在GaAs量子阱中引入稀薄的InAs势垒后，增加AIGaAs / GaAs / AIGaAs双势垒异质结构中电子的迁移率
2. ACCURATE CHARGE-CONTROL MODEL FOR ANALYSIS OF NOISE PROPERTIES FOR AIGaAs/GaAs HEMT AND AIGaAs/InGaAs PHEMT AT MICROWAVE FREQUENCIES [J] . Vandana Guru, H. P. Vyas, Mridula Gupta, Microwave and optical technology letters . 2004,第6期

机译：在微波频率下分析AIGaAs / GaAs HEMT和AIGaAs / InGaAs PHEMT噪声特性的精确电荷控制模型
3. Temperature dependence of Schottky photocurrent for local gate edge illumination in n-AIGaAs/GaAs/AIGaAs double-heterojunction field-effect transistor [J] . Kawazu Takuya, Noda Takeshi, Sakuma Yoshiki Japanese journal of applied physics . 2019,第期

机译：肖特基光电流在N-AIGAAS / GAAS / AIGAAS双异质结晶体管中局部栅极边缘照明的温度依赖性
4. Characteristics of two-stage ?-gate on AIGaAs/lnGaAs/AIGaAs DH-HEMTs by using AIGaAs/lnGaP etching-stop layers [C] . Jia-Chuan Lin, Fu-Xiang Zeng, Jia-Na Wei International Conference on Advances in Materials and Manufacturing Processes . 2012

机译：通过使用AIGAAS / LNGAP蚀刻层 - AIGAAS / LNGAAS / AIGAAS DH-HEMTS对两级的特点
5. AIGaAs 及びGaAsP 中の深い準位に関する研究利用統計を見る [D] . 野毛宏 1986

机译：查看AIGaAs和GaAsP中深层的研究利用率统计信息
6. Theoretical study of strain-dependent optical absorption in a doped self-assembled InAs/InGaAs/GaAs/AlGaAs quantum dot [O] . Tarek A Ameen, Hesameddin Ilatikhameneh, Archana Tankasala, 2018

机译：掺杂的自组装InAs / InGaAs / GaAs / AlGaAs量子点中应变相关的光吸收的理论研究
7. On the Reliability of Accelerated Testing in AIGaAs/InGaAs/GaAs PHEMTs [O] . K. F. Yarn, W. C. Chien, C. S. Wang 2002

机译：关于aIGaas / InGaas / Gaas加速测试的可靠性 pHEmTs
8. Optimization of Buffer Layers for InGaAs/AIGaAs PIN Optical Modulators Grown on GaAs Substrates by Molecular Beam Epitaxy [R] . Katzer, D. S. , Rabinovich, W. S. , Ikossi-Anastasiou, K. , 2000

机译：通过分子束外延在Gaas衬底上生长的InGaas / aIGaas pIN光调制器的缓冲层优化

Повышение подвижности электронов в двухбарьерной гетероструктуре AIGaAs/GaAs/AIGaAs при введение в квантовую яму GaAs тонких InAs-барьеров для пол

摘要

著录项

相似文献

相关主题

期刊订阅