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目录
第一章 绪论
1.1 纳米半导体材料
1.2 RTD的基本特点
1.3 MBE技术
1.4 RTD的研究背景以及现状
1.5 论文的主要研究内容
第二章 RTD概述
2.1 RTD的材料介绍
2.2 RTD的基本结构及工作原理
2.3 RTD的电流和电压
2.4 RTD的两种隧穿物理模型
2.5 RTD的隧穿模式特征
2.6 RTD的电荷积累效应
2.7 RTD的参数
第三章 对称双势垒RTD直流特性研究
3.1 Atlas中模拟GaAs共振隧穿二极管的方法
3.2 GaAs共振隧穿二极管的器件结构及建模
3.3 GaAs共振隧穿二极管的透射几率仿真
3.4材料结构参数对RTD直流特性的影响
3.5 面向MVL设计应用的RTD器件参数窗口
第四章 非对称结构的RTD特性的研究
4.1 非对称结构的器件建模与能带结构
4.2 非对称结构的仿真与验证
4.3 非对称结构的正反特性分析
4.4 AlGaAs/GaAs非对称RTD器件的制作
第五章 总结与展望
致谢
参考文献
附录
杭州电子科技大学;