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目录
缩略词
第一章 绪论
1.1引言
1.2研究目的和意义
1.3研究进展和现状
1.4论文主要研究内容
第二章RTD概述
2.1 RTD的材料及基本结构
2.2 RTD的工作原理
2.3 RTD的电学特性参数[4]
2.4 GaN单晶材料的外延技术
2.5 GaN单晶材料外延的衬底
2.6 GaN非极性材料
2.7本章小结
第三章 GaN材料的极化效应
3.1 GaN材料的极性及极化效应
3.2异质结构中的极化面电荷
3.3 GaN RTD的材料结构及界面极化面电荷
3.4 GaN RTD界面极化面电荷的计算[20,66]
3.5仿真结果及分析
3.6本章小结
第四章 发射极子阱对RTD特性的影响
4.1增加发射极子阱结构的仿真与验证
4.2 改变势垒材料
4.3本章小结
第五章 非对称双势垒结构的对RTD特性影响的研究
5.1非对称RTD材料结构与能带结构
5.2非对称结构的仿真与验证
5.3非对称RTD改变结构参数仿真
5.4 发射极子阱非对称RTD结构
5.5本章小结
第六章 总结与展望
6.1总结
6.2展望
参考文献
附录