在量子阱器件中的磷势垒和高磷多磷化合物势垒

摘要

磷和多磷化合物MPX和许多常用的二族、三族和四族半导体材料相比，有更大的能带间隙，且与半导体材料之间具有良好的界面特性。其中M是一种碱金属，X的范围由15至无穷大，P为磷。磷和这些多磷化合物的薄层常用作量子阱器件中的势垒，特别是那些采用由磷元素构成半导体薄层的量子阱器件中。磷是优先选用的一种势垒层，它可以是单斜晶磷、红磷或是具有层状、折皱片状局部排列顺序的非晶态磷。量子阱器件和异质结器件已被开发，用于场效应器件中。