Photonics Electronics Technology Research Association (Japan) and Fujitsu Ltd. (Japan);
机译:用InP(001)上的高拉伸应变InGaAsP势垒控制1.55μm柱状InAs量子点的极化
机译:调制拉伸应变InGaAsP势垒层对1.55 urn InAs柱状量子点多重堆积生长的研究
机译:InGaAsP / InP(001)上的InAs纳米结构:InAs量子点形成与InGaAsP分解的相互作用
机译:001 InP衬底上InAs量对薄GaAs拉伸应变层上InAs量子点的影响
机译:通过提高过度生长温度增强Si(001)衬底上多层Ge量子点的光致发光
机译:通过提高过度生长温度增强Si(001)衬底上多层Ge量子点的光致发光