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施耀铭; 陈灏;
上海工业大学;
复旦大学;
量子阱; 纵向; 光学声子模; 波导模;
机译:具有肖特基势垒的非对称双δ掺杂量子阱中的非线性光学性质:电场效应
机译:在GaAs量子阱中引入稀薄的InAs势垒后,增加AIGaAs / GaAs / AIGaAs双势垒异质结构中电子的迁移率
机译:对地态能量的温度效应和纵向光学 - 纵向光学均值在不对称的2D RBCL半指数量子阱中杂质极化的数量
机译:势垒不对称性对双势垒量子阱结构中隧穿电流的影响
机译:非对称双量子阱的光学性质和光学调制器的优化。
机译:校正:GaN / InGaN双势垒量子阱异质结构中的受限和界面光子发射
机译:GaAs双量子阱中杂质相关光学吸收光谱的无限势垒和静水压力影响
机译:双势垒量子阱结构中共振隧穿的弹性散射效应
机译:在量子阱层和势垒层中均具有三元合金材料的应变量子阱结构
机译:具有包括双势垒层的量子阱结构的半导体器件,采用该半导体器件的半导体激光器以及制造该半导体器件和半导体激光器的方法。
机译:双势垒量子阱本征振荡器设计的多子带准则
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