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范希武; 于广友; 张吉英;
中国电子学会;
中国光学学会;
中国通信学会;
ZnCdSe/ZnSe; 非对称; 量子阱; 光学特性; 化合物半导体; 外延生长;
机译:ZnO缓冲液在Si衬底上ZnCdSe / ZnSe量子阱的生长和光学特性
机译:在Ge / Ge_(0.95)Si_(0.05)/ Ge_(0.9)Si_(0.1)/ Si虚拟衬底上生长的ZnSe外延层和ZnCdSe / ZnSe量子阱的光学表征
机译:生长条件对分子束外延生长ZnCdSe / ZnSe量子阱的光学性质的影响
机译:ZnCDSE / ZnSE非对称双量子阱结构中的载波隧道
机译:非对称双量子阱的光学性质和光学调制器的优化。
机译:在a平面和m平面GaN衬底上生长的InGaN / GaN多量子阱的光学和偏振特性的研究
机译:计算ZnCdse-Znse量子阱结构中的增益 - 电流特性,包括许多体效应
机译:在Inp上生长的II-VI宽带隙半导体材料Znse,ZnCdse和ZnCdmgse的蚀刻坑研究
机译:伴随生长的高质量非极性特性III族氮化物光学器件(MOCVD)的有机金属化学气相生长方法
机译:非对称双量子阱结构的光学器件
机译:具有非对称双量子阱结构的光学器件
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