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ZnCdSe/ZnSe多量子阱的生长和激子光学性质的研究

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用分子束外延在 Ga As衬底上生长了 Zn Cd Se/Zn Se多量子阱结构 .利用 X射线衍射 ( XRD)、变温度 PL光谱和 ps发光衰减等研究了 Zn Cd Se/Zn Se多量子阱结构和激子复合特性 .由变温 PL光谱讨论了随温度升高辐射线宽展宽和辐射复合效率降低的机理 .

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来源
《光子学报》 |2001年第2期|152-155|共4页
作者
张希清; 梅增霞; 段宁; Tang ZK;
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作者单位

北方交通大学光电子技术研究所;

Department of Physics The Hong Kong University of Science and Technology;

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正文语种 chi
中图分类基础理论;
关键词
激子; 分子束外延; ZnCdSe/ZnSe多量子阱; 自由激子发光; 变温PL光谱; X射线衍射; XRD;

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