ZnCdSe/ZnSe单量子阱中的双激子发光谱

魏彦锋; 黄大鸣; 王兴军; 俞根才; 诸长生; 王迅

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ZnCdSe/ZnSe单量子阱中的双激子发光谱

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在分子束外延生长的ＺｎＣｄＳｅ／ＺｎＳｅ单量子阱结构中，观察到了双激子发光谱．采用不同宽度的量子阱，得出了双激子束缚能与量子阱宽度的依赖关系．研究了双激子发光谱与激发光波长和激发功率的关系．发现在阱内激发的条件下，自由激子更容易由于相互作用而形成双激子，在～１ｍＷ／ｃｍ２的激发功率密度下即可观察到明显的双激子发光．

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来源
《半导体学报》 |1999年第6期|492-496|共5页
作者
魏彦锋; 黄大鸣; 王兴军; 俞根才; 诸长生; 王迅;
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作者单位

复旦大学应用表面物理国家重点实验室;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类基础理论;
关键词
半导体量子阱; 双激子发光谱; 分子束外延生长;

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