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Comparison of exciton properties in quantum well structures of ZnCdSe/ZnSe and ZnSe/ZnMgSSe

机译:ZnCdSe / ZnSe和ZnSe / ZnMgSSe量子阱结构中激子性质的比较

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摘要

Properties of excitons in quantum well structures of ZnCdSe/ZnSe and ZnSe/ZnMgSSe are compared. In ternary ZnCdSe quantum wells and at low Temperature excitons are strongly localised. Weaker localization is observed In quantum well structures of ZnSe/ZnMgSSe. Present studies suggest for- Mation of negatively charged excitons in the latter structures.
机译:比较了ZnCdSe / ZnSe和ZnSe / ZnMgSSe量子阱结构中激子的性质。在三元ZnCdSe量子阱中和低温下,激子强烈定位。在ZnSe / ZnMgSSe的量子阱结构中观察到较弱的定位。目前的研究表明,在后一种结构中形成带负电荷的激子。

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