量子阱GaAs太阳电池的质子辐射效应

摘要

用I-V特性、光谱响应和深能级谱分析辐射效应，分析了1×10^9～2×10^13cm^-2，2MeV质子辐照量子阱GaAs太阳电池．结果表明，随辐照注量增大，电池，Isc,Voc，Pmax衰降程度增加；相同的注量，Pmax衰降程度最大．当注量大于3×10^12cm^-2时，Isc衰降程度比Voc的大；当注量小于3×10^12cm^-2时，Voc衰降程度比Isc的大；在900～1000nm波长范围内，2×10^13cm^-2辐照使量子阱光谱响应特性消失．这与量子阱结构受到损伤引入位于Ec-0．35eV的深能级有关．