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外文会议
>
Symposium on infrared applications of semiconductors
Symposium on infrared applications of semiconductors
召开年:
1997
召开地:
Boston, MA(US)
出版时间:
-
会议文集:
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1.
The growth of type-II infrared laser structures
机译:
II型红外激光结构的生长
作者:
M.J.Yang
;
W.J.Moore
;
B.R.Bennett
;
B.V.Shanabrook
;
J.O.Cross
会议名称:
《Symposium on infrared applications of semiconductors》
|
1997年
2.
Dark soliton formation for light-induced waveguiding in photorefractive InP:Fe
机译:
光折射InP:Fe中光诱导波导的暗孤子形成
作者:
M.Chauvet
;
S.A.Hawkins
;
G.J.Salamo
;
M.Segev
;
D.F.Bliss
;
G.Bryant
会议名称:
《Symposium on infrared applications of semiconductors》
|
1997年
3.
Mapping detector response over the area of a CdZnTe-multiple-electrode detector
机译:
在CdZnTe多电极检测器区域上映射检测器响应
作者:
C.L.Lingeren
;
B.Apotovsky
;
J.F.Butler
;
F.P.Doty
;
S.J.Friesenhahn
;
A.Oganesyan
;
B.Pi
;
S.Zhao
会议名称:
《Symposium on infrared applications of semiconductors》
|
1997年
4.
Modeling interdiffusion in superlattice structures
机译:
模拟超晶格结构中的相互扩散
作者:
Richard G.Gass
;
Howard E.Jackson
会议名称:
《Symposium on infrared applications of semiconductors》
|
1997年
5.
Phase-matched 2nd harmonic generation in asymmetric double-quantum wells
机译:
非对称双量子阱中相位匹配的二次谐波生成
作者:
K.L.Vodopyanov
;
C.CPhillips
;
I.Vurgaftman
;
J.R.Meyer
会议名称:
《Symposium on infrared applications of semiconductors》
|
1997年
6.
Photo-assisted resonant tunneling through localized states in AlAs/GaAs double-barrier structure with undoped spacer layers
机译:
具有未掺杂间隔层的AlAs / GaAs双势垒结构中的局部态的光辅助共振隧穿
作者:
H.Y.Chu
;
K.-S.Lee
;
H.-H.Park
;
E.-H.Lee
会议名称:
《Symposium on infrared applications of semiconductors》
|
1997年
7.
Charaterization of CdGeAs_2 using capacitance methods
机译:
使用电容法表征CdGeAs_2
作者:
S.R.Smith
;
A.O.Evwaraye
;
M.C.Ohmer
会议名称:
《Symposium on infrared applications of semiconductors》
|
1997年
8.
DX-like centers and photoconductivity kinetics in PbTe-based alloys
机译:
PbTe基合金中的类DX中心和光电导动力学
作者:
B.A.Akimov
;
V.A.Bogoyavlenskiy
;
V.N.VasilKOV
;
L.I.Ryabova
会议名称:
《Symposium on infrared applications of semiconductors》
|
1997年
9.
Extra-wide tuning range mid-ir optical parametric generator pumped by Er-laser pulses
机译:
Er激光脉冲泵浦的超宽调谐范围中红外光参量发生器
作者:
K.L.Vodopyanov
会议名称:
《Symposium on infrared applications of semiconductors》
|
1997年
10.
gamma -Ray irradiation effect on the intersubband transition in InGaAs/AlGaAs multiple quantum wells
机译:
γ射线辐照对InGaAs / AlGaAs多量子阱中子带间跃迁的影响
作者:
N.O.Manasreh
;
J.R.Chavez
;
W.T.Kemp
;
K.Hoenshel
;
M.Nissous
会议名称:
《Symposium on infrared applications of semiconductors》
|
1997年
11.
Modular 64x64 CdZnTe arrays with multiplexer readout for high-resolution nuclear medicine imaging
机译:
具有多路复用器读数的模块化64x64 CdZnTe阵列,用于高分辨率核医学成像
作者:
J.M.Woolfenden
;
H.B.Barber
;
H.H.Barrett E.L.Dereniak
;
J.D.Eskin
;
D.G.Marks
;
K.J.Matherson
;
E.T.Young
;
F.L.Augustine
会议名称:
《Symposium on infrared applications of semiconductors》
|
1997年
12.
Nonmonotonous behavior of temperature-dependence of plasma frequency and effect of a local instability of the PbTe:In, Ga lattice
机译:
等离子体频率随温度变化的非单调行为以及PbTe:In,Ga晶格的局部不稳定性的影响
作者:
A.I.Belogorokhov
;
L.I.Belogorokhova
;
D.R.Khokhlov
会议名称:
《Symposium on infrared applications of semiconductors》
|
1997年
13.
Operational characteristics of GaSe crystals for mid-IR and far-IR applications
机译:
用于中红外和远红外应用的GaSe晶体的工作特性
作者:
N.C.Fernelius
;
F.K.Hopkins
;
N.B.Singh
;
D.Suhre
;
M.Marable
;
R.H.Hopkins
;
R.Meyer
;
P.Mui
会议名称:
《Symposium on infrared applications of semiconductors》
|
1997年
14.
Optical absorption in Hg_(1-x)Cd_xTe
机译:
Hg_(1-x)Cd_xTe中的光吸收
作者:
Vaidya Nathan
会议名称:
《Symposium on infrared applications of semiconductors》
|
1997年
15.
Oxygen-related defects in In_(0.5)(Al_xGa_(1-x))_(0.5)P grown by movpe
机译:
通过运动产生的In_(0.5)(Al_xGa_(1-x))_(0.5)P中的氧相关缺陷
作者:
J.G.Cederberg
;
B.Bieg
;
J.-W.Huang
;
S.A.Stockman
;
M.J.Peanasky
;
T.F.Kuech
会议名称:
《Symposium on infrared applications of semiconductors》
|
1997年
16.
Photoreflectance study of MBE grown Te-doped GaSb at the E_0+ DELTA _0 transition
机译:
MBE生长的掺Te的GaSb在E_0 + DELTA _0跃迁处的光反射研究
作者:
S.Iyer
;
S.Mulugeta
;
J.Li
;
B.Mangalam
;
S.Venkatraman
会议名称:
《Symposium on infrared applications of semiconductors》
|
1997年
17.
Polarized raman scattering study of ZnGeP_2 single crystals
机译:
ZnGeP_2单晶的偏振拉曼散射研究
作者:
Spirit Tlali
;
Howard E.Jackson
;
M.C.Ohmer
;
P.G.Schunemann
;
T.M.Pollak
会议名称:
《Symposium on infrared applications of semiconductors》
|
1997年
18.
Refractive index measurements of barium titanate from. 4 to 5.0 microns and implications for periodically poled frequency conversion devices
机译:
钛酸钡的折射率测量。 4至5.0微米及其对周期性极化的频率转换设备的影响
作者:
David E.Zelmon
;
David L.Small
;
Peter Schunemann
会议名称:
《Symposium on infrared applications of semiconductors》
|
1997年
19.
Second-harmonic and sum-frequency generation in CdGeAs_2
机译:
CdGeAs_2中的二次谐波和和频率生成
作者:
Eiko Tanaka
;
Kiyoshi Kato
会议名称:
《Symposium on infrared applications of semiconductors》
|
1997年
20.
Surface and interface properties of InSb epitaxial thin films grown on GaAs by low pressure metalorganic chemical vapor deposition
机译:
低压金属有机化学气相沉积在GaAs上生长的InSb外延薄膜的表面和界面特性
作者:
K.Li
;
K.L.Tan
;
M.Pelczynski
;
Z.C.Feng
;
A.T.S.Wee
;
J.Y.Lin
;
I.Ferguson
;
R.A.Stall
会议名称:
《Symposium on infrared applications of semiconductors》
|
1997年
21.
Analysis of AlGaAs/GaAs multiple quantum well dual waveguides defined by ion implantation induced intermixing
机译:
离子注入诱导混合定义的AlGaAs / GaAs多量子阱双波导分析
作者:
Kai-Ming Lo
会议名称:
《Symposium on infrared applications of semiconductors》
|
1997年
22.
Analysis of grain boundaries, twin boundaries and Te precipitates in Cd_(1-x)Zn_xTe grown by high-pressure bridgman method
机译:
高压布里奇曼法生长Cd_(1-x)Zn_xTe中晶界,孪晶界和Te析出物的分析
作者:
J.R.Heffelfigner
;
D.L.Medlin
;
R.B.James
会议名称:
《Symposium on infrared applications of semiconductors》
|
1997年
23.
Atomistic calculations of dopant binding energies in ZnGeP_2
机译:
ZnGeP_2中掺杂剂结合能的原子计算
作者:
Ravindra Pandey
;
Melvin C.Ohmer
;
A.Costales
;
J.M.Recio
会议名称:
《Symposium on infrared applications of semiconductors》
|
1997年
24.
Auger recombination in antimony-based, strain-balanced, narrow-band-gap superlattices
机译:
锑基,应变平衡,窄带隙超晶格中的俄歇复合
作者:
J.T.Olesberg
;
Thomas F.Boggess
;
S.A.Anson
;
D.-J.Jang
;
M.E.Flatte
;
T.C.Hasenberg
;
C.H.Grein
会议名称:
《Symposium on infrared applications of semiconductors》
|
1997年
25.
Band-reject infrared matallic photonic band gap filters on flexible polyimide substrate
机译:
柔性聚酰亚胺衬底上的带阻红外金属光子带隙滤光片
作者:
Sandhya Gupta
;
Gary Tuttle
;
Mihail Sigalas
;
Kai-Ming Ho
会议名称:
《Symposium on infrared applications of semiconductors》
|
1997年
26.
Cation interdiffusion in GaInP/GaAs single quantum wells
机译:
GaInP / GaAs单量子阱中的阳离子互扩散
作者:
Joseph Micallef
;
Andrea Brincat
;
Wai-Chee Shiu
会议名称:
《Symposium on infrared applications of semiconductors》
|
1997年
27.
Control of defects and impurities production of CdZnTe crystals by the bridgman method
机译:
用Bridgman方法控制CdZnTe晶体的缺陷和杂质产生
作者:
H.L.Glass A.J.Socha
;
D.W.Bakken
;
V.M.Speziale
;
J.P.Flint
会议名称:
《Symposium on infrared applications of semiconductors》
|
1997年
28.
Disorder-delineated AlGaAs/GaAs quantum-well phase modulator
机译:
无序描绘的AlGaAs / GaAs量子阱相位调制器
作者:
Wallace C.H.Choy
;
Bernard L.Weiss
会议名称:
《Symposium on infrared applications of semiconductors》
|
1997年
29.
Dopants in HgCdTe
机译:
HgCdTe中的掺杂剂
作者:
M.A.Berding
;
A.Sher
会议名称:
《Symposium on infrared applications of semiconductors》
|
1997年
30.
Effect of geometric factors on polarization properties of vertical-cavity surface-emitting lasers with til ted pillar structures
机译:
几何因素对具有倾斜柱结构的垂直腔面发射激光器的偏振特性的影响
作者:
Min Soo Park
;
Byung Tae Ahn
;
Hye Yong Chu
;
Byueng-Su Yoo
;
Hyo-Hoon Park
会议名称:
《Symposium on infrared applications of semiconductors》
|
1997年
31.
Electron-nuclear double resonance study of the zinc vacancy in zinc germanium phosphide (ZnGeP_2)
机译:
磷化锗锌(ZnGeP_2)中锌空位的电子核双共振研究
作者:
K.T.Stevens
;
S.D.Setzler
;
L.E.Halliburton
;
N.C.Fernelius
;
P.G.Schunemann
;
T.M.Pollak
会议名称:
《Symposium on infrared applications of semiconductors》
|
1997年
32.
Fabrication of cdznte strip detectors for large area arrays
机译:
用于大面积阵列的cdznte条形检测器的制造
作者:
C.M.Stahle
;
Z.Q.Shi
;
K.Hu
;
S.D.Barthelmy
;
S.J.Snodgrass
;
S.J.Lehtonen
;
K.J.Mach
;
L.Barbier
;
N.Gehrels
;
J.F.Krizmanic
;
D.Palmer
;
A.M.Parsons
;
P.Shu
会议名称:
《Symposium on infrared applications of semiconductors》
|
1997年
33.
Free carrier absorption in P-type epitaxial Si and GaAs films for far-infrared detection
机译:
用于远红外检测的P型外延Si和GaAs薄膜中的自由载流子吸收
作者:
A.G.U.Perera
;
W.Z.Shen
;
M.O.Tanner
;
K.L.Wang
;
W.Schaff
会议名称:
《Symposium on infrared applications of semiconductors》
|
1997年
34.
GaAs/AlGaAs intersubband mid-infrared emitter
机译:
GaAs / AlGaAs子带间红外发射器
作者:
G.Strasser
;
S.Gianordoli
;
L.Hvozdara
;
H.Bichl
;
K.Unterrainer
;
E.Gornik
;
P.Kruck
;
M.Helm
;
J.N.Heyman
会议名称:
《Symposium on infrared applications of semiconductors》
|
1997年
35.
Germanium far infrared blocked impurity band detectors
机译:
锗远红外阻挡杂质带检测器
作者:
C.S.Olsen
;
J.W.Beeman
;
W.L.Hansen
;
E.E.Haller
会议名称:
《Symposium on infrared applications of semiconductors》
|
1997年
36.
Growth and characterization of PbSe and Pb_(1-x)Sn_xSe layers on Si(100)
机译:
Si(100)上PbSe和Pb_(1-x)Sn_xSe层的生长和表征
作者:
H.K.Sachar
;
I.Chao
;
X.M.Fang
;
P.J.Mccann
会议名称:
《Symposium on infrared applications of semiconductors》
|
1997年
37.
High power MID-infrared interband cascade lasers
机译:
大功率MID红外带间级联激光器
作者:
B.H.Yang
;
D.Zhang
;
RuI.Q.Yang
;
C.-H.Lin
;
S.J.Murry
;
H.Wu
;
S.S.Pel
会议名称:
《Symposium on infrared applications of semiconductors》
|
1997年
38.
High resolution x-ray reflectometry and diffraction of CaF_2/Si(111) structures grown by molecular beam epitaxy
机译:
分子束外延生长的CaF_2 / Si(111)结构的高分辨率x射线反射法和衍射
作者:
E.Abramof
;
S.O.Ferreira
;
P.H.O.Rappl
;
A.Y.Ueta
;
C.Boschetti
;
H.Closs
;
P.Motisuke
;
I.N.Bandeira
会议名称:
《Symposium on infrared applications of semiconductors》
|
1997年
39.
In situ spectroscopic ellipsometry for real time composition control of Hg_(1-x)Cd_xTe grown by molecular beam epitaxy
机译:
原位光谱椭圆偏振法实时控制分子束外延生长的Hg_(1-x)Cd_xTe
作者:
R.Dat
;
F.Aqariden
;
W.M.Duncan
;
D.Chandra
;
H.D.Shih
会议名称:
《Symposium on infrared applications of semiconductors》
|
1997年
40.
Influence of quantum confinement on the photoemission from nonlinear optical materials
机译:
量子约束对非线性光学材料光发射的影响
作者:
Kamakhya P.Ghatak
;
P.K.Bose
;
Gautam Majumder
会议名称:
《Symposium on infrared applications of semiconductors》
|
1997年
41.
Influence of structural defects and zinc composition variation on the device response of Cd_(1-x)Zn_xTe radiation detectors
机译:
结构缺陷和锌成分变化对Cd_(1-x)Zn_xTe辐射探测器的器件响应的影响
作者:
H.Yoon
;
J.M.Van Scyoc
;
T.S.Gilbert
;
M.S.Goorsky
;
B.A.Brunett
;
J.C.Lund
;
H.Hermon
;
M.Schieber
;
R.B.James
会议名称:
《Symposium on infrared applications of semiconductors》
|
1997年
42.
Interdiffusion mechanisms in GaAs/AlGaAs quantum well heterostructures induced by SiO_2 capping and annealing
机译:
SiO_2封端和退火在GaAs / AlGaAs量子阱异质结构中的互扩散机理
作者:
A.Pepin
;
C.Vieu
;
M.Schineider
;
H.Launois
;
E.V.K.Rao
会议名称:
《Symposium on infrared applications of semiconductors》
|
1997年
43.
Laser damage studies of silver gallium sulfide single crystals
机译:
硫化银镓单晶的激光损伤研究
作者:
Warren Ruderman
;
John Maffetone
;
David E.Zelman
;
Derrick M.Poirier
会议名称:
《Symposium on infrared applications of semiconductors》
|
1997年
44.
Low optical loss wafer bonded GaAs structures for quasi-phase-matched second harmonic generation
机译:
低光损耗晶圆键合GaAs结构,用于准相位匹配二次谐波生成
作者:
Yew Chung Sermon Wu
;
Robert S.Feigelson
;
Roger K.Route
会议名称:
《Symposium on infrared applications of semiconductors》
|
1997年
45.
Mapping of large area cadmium zinc telluride (CZT) wafers: apparatus and methods
机译:
大面积碲化镉锌(CZT)晶片的制图:设备和方法
作者:
B.A.Brunett
;
J.M.Van Scyoc
;
H.Yoon
;
T.S.Gilberi
;
T.E.Schlesinger
;
J.C.Lund
;
R.B.James
会议名称:
《Symposium on infrared applications of semiconductors》
|
1997年
46.
MID-IR photodetectors based on InAs/InGaSb type-II quantum wells
机译:
基于InAs / InGaSb II型量子阱的MID-IR光电探测器
作者:
G.J.Brown
;
M.Ahoujja
;
F.Szmulowicz
;
W.C.Mitchel
;
C.H.Lin
会议名称:
《Symposium on infrared applications of semiconductors》
|
1997年
47.
MID-IR vartical cavity surface-emitting lasers
机译:
MID-IR腔腔表面发射激光器
作者:
I.Vurgaftman
;
W.W.Bewley
;
C.L.Felix
;
E.H.Aifer
;
J.R.Meyer
;
L.Goldberg
;
D.H.Chow
;
E.Selvig
会议名称:
《》
|
1997年
48.
Modeling of mid-infrared multi-quantum well lasers
机译:
中红外多量子阱激光器的建模
作者:
A.D.Andreev
;
A.F.Ioffe
会议名称:
《Symposium on infrared applications of semiconductors》
|
1997年
49.
Monolithic 1.55 mu m surface emitting laser structure with In_(0.53)Ga_(0.33)As/In_(0.52)Al_(0.48)As distributed bragg reflector and single cavity active layer grown by maatalorganic chemical vapor deposition method
机译:
In_(0.53)Ga_(0.33)As / In_(0.52)Al_(0.48)As分布布拉格反射器和通过金属有机化学气相沉积法生长的单腔有源层的单片1.55μm表面发射激光器结构
作者:
J.-H.Baek
;
B.Lee
;
l W.S.Han
;
J.M.Smith
;
B.S.Jeong
;
E.-H.Lee
会议名称:
《Symposium on infrared applications of semiconductors》
|
1997年
50.
Multivalent acceptor-doped germanium lasers: a solid-state tunable source from 75 to 300 mu m
机译:
掺杂多价受体的锗激光器:75至300μm的固态可调光源
作者:
D.R.Chamberlin
;
O.D.Dubon
;
E.Brundermann
;
E.E.Haller
;
L.A.Reichertz
;
G.Sirmain
;
A.M.Linhart
;
H.P.Roser
会议名称:
《Symposium on infrared applications of semiconductors》
|
1997年
51.
New type of ir photodectors based on lead telluride and related alloys
机译:
基于碲化铅和相关合金的新型红外光电探测器
作者:
D.R.Khokhlov
会议名称:
《Symposium on infrared applications of semiconductors》
|
1997年
52.
Non-destructive and whole wafer characterization of III-V infrared epitaxial materials prepared by turbo disk metalorganic chemical vapor deposition
机译:
通过涡轮盘金属有机化学气相沉积制备的III-V红外外延材料的无损和整个晶圆特性
作者:
Z.C.Feng
;
J.Pelczynski
;
C.Beckham
;
P.Cooke
;
I.Ferguson
;
R.A.Stall
会议名称:
《Symposium on infrared applications of semiconductors》
|
1997年
53.
1.95 mu m compressively strained InGaAs/InGaAsP quantum well DFB laser with low threshold
机译:
低阈值1.95μm压缩应变InGaAs / InGaAsP量子阱DFB激光器
作者:
Jie Dong
;
Akinori Ubukata
;
Koh Matsumoto
会议名称:
《Symposium on infrared applications of semiconductors》
|
1997年
54.
3.2 and 3.8 mu m emission and lasing in AlGaAsSb/InGaAsSb double hetrostructures with asymmetric band offset confinements
机译:
具有不对称带隙限制的AlGaAsSb / InGaAsSb双异质结构中的3.2和3.8μm发射和激光发射
作者:
M.P.Mikhailova
;
B.E.Zhurtanov
;
K.D.Moiseev
;
A.N.Imenkov
;
O.G.Ershov
;
Yu.P.Yakovlev
会议名称:
《Symposium on infrared applications of semiconductors》
|
1997年
55.
Active anti-guide vertical cavity surface emitting lasers with diffused quantum wells structure
机译:
具有扩散量子阱结构的有源反向导向垂直腔面发射激光器
作者:
S.F.Yu
;
E.Herbert Li
;
W.M.Man
会议名称:
《Symposium on infrared applications of semiconductors》
|
1997年
56.
Novel piezoelectric heterostructure for all-optical infrared light modulation
机译:
用于全光红外光调制的新型压电异质结构
作者:
V.Ortiz
;
N.T.Pelekanos
;
Guido Mula
会议名称:
《Symposium on infrared applications of semiconductors》
|
1997年
57.
On the moss-burstein shift in quantum confined optoelectronic ternary and quaternary materials
机译:
关于量子约束光电子三元和四元材料的moss-burstein位移
作者:
Kamakhya P.Ghatak
;
P.K.Bose
;
Gautam Majumder
会议名称:
《Symposium on infrared applications of semiconductors》
|
1997年
58.
PbTe(Ga) - new multispectral ir photodetector
机译:
PbTe(Ga)-新型多光谱红外光电探测器
作者:
A.I.Belogorokhov
;
I.I.Ivanchik
;
D.R.Khokhlov
会议名称:
《Symposium on infrared applications of semiconductors》
|
1997年
59.
Photoacoustic study of the effect of 0.9 eV light illumination in semi-insulating GaAs
机译:
0.9 eV光照在半绝缘GaAs中的影响的光声研究
作者:
Atsuhiko Fukuyama
;
Yoshito Akashi
;
Kenji Yoshino
;
Kouji Maeda
;
Tetsuo Ikari
会议名称:
《Symposium on infrared applications of semiconductors》
|
1997年
60.
Photoresponse studies of the polarization dependence of the CdGeAs_2 band edge
机译:
CdGeAs_2带边缘极化相关性的光响应研究
作者:
G.J.Brown
;
M.C.Ohmer
;
P.G.Schunemann
会议名称:
《Symposium on infrared applications of semiconductors》
|
1997年
61.
Progress on GaInAsSb and InAsSbP photodetectors for mid-infrared wavelengths
机译:
GaInAsSb和InAsSbP光电探测器在中红外波长上的研究进展
作者:
Z.A.Shellenbarger
;
M.G.Mauk
;
P.E.Sims
;
J.A.Cox
;
J.D.Lesko
;
J.R.Bower
;
J.D.South
;
L.C.Dinetta
会议名称:
《Symposium on infrared applications of semiconductors》
|
1997年
62.
Reactive ion etching (RIE) induced p-to n-type conversion in extrinsically doped p-type HgCdTe
机译:
反应性离子蚀刻(RIE)在外在掺杂的p型HgCdTe中诱导p到n型转换
作者:
C.A.Musca
;
E.P.G.Smith
;
J.F.Siliquini
;
J.M.Dell
;
J.Antoszewski
;
J.Piotrowski
;
L.Faraone
会议名称:
《Symposium on infrared applications of semiconductors》
|
1997年
63.
Reduced Al-Ga interdiffusion in GaAs/AlGaAs multiple quantum well structure by introducing low hydrogen content SiN_x cepping layer for dielectric cap quantum well disordering
机译:
通过引入低氢含量的SiN_x掺杂层用于介电帽量子阱无序化,减少了GaAs / AlGaAs多量子阱结构中的Al-Ga互扩散
作者:
W.J.Choi
;
S.M.Han
;
S.I.Shah
;
S.G.Choi
;
D.H.Woo
;
S.Lee
;
H.J.Kim
;
I.K.Han
;
S.H.Kim
;
J.I.Lee K.N.Kang
;
J.Cho
会议名称:
《Symposium on infrared applications of semiconductors》
|
1997年
64.
Relaxed In_xGa_(1-x)As graded buffers grown with organometallic vapor phase epitaxy on GaAs
机译:
在GaAs上以有机金属气相外延生长的弛豫In_xGa_(1-x)As梯度缓冲液
作者:
M.T.Bulsara
;
C.Leitz
;
E.A.Fitzgerald
会议名称:
《Symposium on infrared applications of semiconductors》
|
1997年
65.
Study of the homogeneity of Fe-dopen seminsulating InP wafers
机译:
Fe-dopen半绝缘InP晶片的均匀性研究
作者:
J.Jimenez
;
R.Fornari
;
M.Curti
;
E.de la Puente
;
M.Avella
;
L.F.Sanz
;
M.Gonzalez
;
A.Alvarez
会议名称:
《Symposium on infrared applications of semiconductors》
|
1997年
66.
Study on deep level traps in p-HgCdTe with deltfs
机译:
用deltfs研究p-HgCdTe中的深能级陷阱
作者:
S.Kawata
;
I.Sugiyama
;
N.Kajihara
;
Y.Miyamoto
会议名称:
《Symposium on infrared applications of semiconductors》
|
1997年
67.
TEM Investigation of Al_(0.5)Ga_(0.5)As_(1-y)Sb_y buffer layer systems
机译:
Al_(0.5)Ga_(0.5)As_(1-y)Sb_y缓冲层系统的TEM研究
作者:
E.Chen
;
J.S.Aharn
;
K.Nichols
;
P.Uppal
;
D.C.Paine
会议名称:
《Symposium on infrared applications of semiconductors》
|
1997年
68.
The burstein-moss shift in quantum dots of III-V, II-VI and IV-VI semiconductors under parallel magnetic field
机译:
平行磁场下III-V,II-VI和IV-VI半导体量子点中的Burstein-moss位移
作者:
Kamakhya P.Ghatak
;
P.K.Bose
;
Gautam Majumder
会议名称:
《Symposium on infrared applications of semiconductors》
|
1997年
69.
The effect of tensile strain on AlGaAs/GaAsP interdiffused quantum well laser
机译:
拉伸应变对AlGaAs / GaAsP互扩散量子阱激光器的影响
作者:
K.S.Chan
;
Michael C.Y.Chan
会议名称:
《Symposium on infrared applications of semiconductors》
|
1997年
70.
The reduction of the defect density in CdTe buffer layers for the growth of HgCdTe infrared photodiodes on Si(211) substrates
机译:
Si(211)衬底上用于HgCdTe红外光电二极管生长的CdTe缓冲层中缺陷密度的降低
作者:
H.-Y.Wei
;
L.Salamanca-Riba
;
Maryland
会议名称:
《Symposium on infrared applications of semiconductors》
|
1997年
71.
Theory of critical layer thickness of nonconstant quantum-well width produced by interdiffusion and its optoelectronics consequence
机译:
互扩散产生非恒定量子阱宽度的临界层厚度理论及其光电结果
作者:
Michael C.Y.Chan
;
E.Herbert Li
会议名称:
《Symposium on infrared applications of semiconductors》
|
1997年
72.
Tunneling effects in InAs/GaInSb superlattice infrared photodiodes
机译:
InAs / GaInSb超晶格红外光电二极管中的隧穿效应
作者:
U.Weimar
;
F.Fuchs
;
E.Ahlswede
;
J.Schmitz
;
W.Pletschen
;
N.Herres
;
M.Walther
会议名称:
《Symposium on infrared applications of semiconductors》
|
1997年
73.
X-ray characterization of PbTe/SnTe superlattices
机译:
PbTe / SnTe超晶格的X射线表征
作者:
S.O.Ferreira
;
E.Abramoe
;
P.H.O.Rappl
;
A.Y.Ueta
;
H.Closs
;
C.Boschetti
;
P.Motisuke
;
I.N.Bandeira
会议名称:
《Symposium on infrared applications of semiconductors》
|
1997年
74.
Dislocations and traps in MBE grown lattice mismatched p-InGaAs/GaAs layers on GaAs subtrates
机译:
GaAs子衬底上MBE生长的晶格失配的p-InGaAs / GaAs层中的位错和陷阱
作者:
A.Y.Du
;
M.F.Li
;
T.C.Chong
;
Z.Zhang
会议名称:
《Symposium on infrared applications of semiconductors》
|
1997年
75.
High temperature infrared photon detector performance
机译:
高温红外光子探测器性能
作者:
C.H.Grein
;
H.Ehrenreich
会议名称:
《Symposium on infrared applications of semiconductors》
|
1997年
76.
Thermal interdiffusion in InGaAs/GaAs strained multiple quantum well infrared photodetector
机译:
InGaAs / GaAs应变多量子阱红外光电探测器中的热互扩散
作者:
Alex S.W.Lee
;
E.Herbert Li
会议名称:
《Symposium on infrared applications of semiconductors》
|
1997年
77.
Bandgap-engineering of HgCdTe for two-color IR detector arrays by movpe
机译:
movpe用于双色红外探测器阵列的HgCdTe带隙工程
作者:
P.Mitra
;
F.C.Case
;
S.L.Barnes
;
M.B.Reine
;
P.ODette
;
S.P.Tobin
会议名称:
《Symposium on infrared applications of semiconductors》
|
1997年
78.
Frequency doubling of CW and pulsed CO_2 lasers using diffusion-bonded, quasi-phase-matched GaAs stracks
机译:
使用扩散键合,准相位匹配的GaAs径迹将CW和脉冲CO_2激光器的频率加倍
作者:
Mel Vin C.Ohmer
;
Shekhar Guha
;
Ronald E.Perrin
;
Laura S.Rea
;
Phil Won Yu
;
Ayub Fathimulla
会议名称:
《Symposium on infrared applications of semiconductors》
|
1997年
79.
Materials for mid-infrared semiconductor lasers
机译:
中红外半导体激光器的材料
作者:
A.R.Kost
会议名称:
《Symposium on infrared applications of semiconductors》
|
1997年
80.
Recent improvements in dry etching of Hg_(1-x)Cd_xTe by CH_4 based electron cyclotron resonance plasmas
机译:
基于CH_4的电子回旋共振等离子体对Hg_(1-x)Cd_xTe进行干法刻蚀的最新进展
作者:
M.Seelmann-Eggebert
;
A.Rar
;
H.Zimmermann
;
P.Meisen
会议名称:
《Symposium on infrared applications of semiconductors》
|
1997年
81.
Substrate misorientation effects on epitaxial GaInAsSb
机译:
衬底取向错误对外延GaInAsSb的影响
作者:
C.A.Wang
;
H.K.Choi
;
D.C.Oakley
;
G.W.Charache
会议名称:
《Symposium on infrared applications of semiconductors》
|
1997年
82.
Current issues of high-pressure bridgman growth of semi-insulating CdZnTe
机译:
半绝缘CdZnTe高压布里奇曼生长的当前问题
作者:
Csaba Szeles
;
Elgin E.Eissler
会议名称:
《Symposium on infrared applications of semiconductors》
|
1997年
83.
High - power low-threshold optically pumped type-II quantum- well lasers
机译:
高功率低阈值光泵浦II型量子阱激光器
作者:
Chih-Hsiang Lin
;
S.J.Murry
;
Rui Q.Yang
;
S.S.Pei
;
H.Q.Le
;
Chi Yan
;
D.M.Gianardi
;
D.L.McDaniel
;
M.Falcon
会议名称:
《Symposium on infrared applications of semiconductors》
|
1997年
84.
Improved CdZnTe detectors grown by vertical bridgman process
机译:
垂直布里奇曼法生长的改进的CdZnTe探测器
作者:
K.G.Lynn
;
M.Weber
;
H.L.Glass
;
J.P.Flint
;
Cs.Szeles
会议名称:
《Symposium on infrared applications of semiconductors》
|
1997年
85.
Monolithically integrated dual-band quantum well infrared photodetector
机译:
单片集成双波段量子阱红外光电探测器
作者:
D.K.Sengupta
;
S.D.Gunapala
;
S.V.Bandara
;
F.Pool
;
J.K.Liu
;
M.McKelvey
;
E.Luong
;
J.Torezan
;
J.Mumulo
;
W.Hong
;
J.Gill
;
G.E.Stillman
;
A.P.Curtis
;
S.Kim
;
L.J.Chou
;
P.J.Mares
;
M.Feng
;
K.C.Hseih
;
S.L.Chuang
;
S.G.Bishop
;
Y.C.Chang
;
H.C.Liu
;
W.I.Wang
会议名称:
《Symposium on infrared applications of semiconductors》
|
1997年
86.
Non-equilibrium InSb/InAlSb diodes grown by MBE
机译:
MBE生长的非平衡InSb / InAlSb二极管
作者:
A D Johnson
;
A B J Smout
;
J W Cairns
;
G J Pryce
;
A J Pidduck
;
R Jefferies
;
T Ashiley
;
C T Elliott
会议名称:
《Symposium on infrared applications of semiconductors》
|
1997年
87.
Bridgman growth and characterization of bulk signle crystals of Ga_(1-x)In_xSb for thermophotovoltaic applications
机译:
热光伏应用中Ga_(1-x)In xS块状单晶的Bridgman生长和表征
作者:
J.R.Boyer
;
W.T.Haines
会议名称:
《Symposium on infrared applications of semiconductors》
|
1997年
88.
HgCdTe- an unexpectedly good choice for (NEAR) room temperature focal plane arrays
机译:
HgCdTe-(NEAR)室温焦平面阵列出乎意料的好选择
作者:
W.E.Tennant
;
C.Cabelli
会议名称:
《Symposium on infrared applications of semiconductors》
|
1997年
89.
Performance of P-I-N CdZnTe radiation detectors and their unique advantages
机译:
P-I-N CdZnTe辐射探测器的性能及其独特优势
作者:
R.Sudharsanan
;
C.C.Stenstrom
;
P.Bennett
;
G.D.Vakerlis
会议名称:
《Symposium on infrared applications of semiconductors》
|
1997年
90.
Recent progress in the growth of MID-ir emitters by metalorganic chemical vapor deposition
机译:
金属有机化学气相沉积法生长MID-ir发射体的最新进展
作者:
R.M.Biefeld
;
A.A.Allerman
;
S.R.Kurtz
;
K.C.Baucom
会议名称:
《Symposium on infrared applications of semiconductors》
|
1997年
91.
Theoretical performance of MID-infrared broken-gap multilayer superlattice lasers
机译:
MID红外破碎间隙多层超晶格激光器的理论性能
作者:
Michael E.Flatte
;
J.T.Olesberg
;
C.H.Grein
会议名称:
《Symposium on infrared applications of semiconductors》
|
1997年
92.
ZnGeP: and its relation to other defect semiconductors
机译:
ZnGeP:及其与其他缺陷半导体的关系
作者:
A.W.Vere
;
L.L.Taylor
;
P.C.Smith
;
C.J.Flynn
;
M.K.Saker
;
J.Jones
会议名称:
《Symposium on infrared applications of semiconductors》
|
1997年
93.
Chemical bonding on GaAs (001) surfaces passivated using SeS_2
机译:
使用SeS_2钝化的GaAs(001)表面上的化学键合
作者:
Jingxi Sun
;
Dong Ju Seo
;
W.L.OBrien
;
F.J.Himpsel
;
T.F.Kuech
会议名称:
《Symposium on infrared applications of semiconductors》
|
1997年
94.
Growth of NLO chalcopyrite materials by omvpe
机译:
用omvpe生长NLO黄铜矿材料
作者:
M.L.Timmons
;
K.J.Bachmann
会议名称:
《Symposium on infrared applications of semiconductors》
|
1997年
95.
Positive and negative luminescent infrared sources and their applications
机译:
正负发光红外光源及其应用
作者:
T.Ashley
会议名称:
《Symposium on infrared applications of semiconductors》
|
1997年
96.
Quantum well intermixing for optoeletronic applications
机译:
光电应用中的量子阱混合
作者:
C.Jagadish
;
H.H.Tan
;
S.Yuan
;
M.Gal
会议名称:
《Symposium on infrared applications of semiconductors》
|
1997年
97.
Raman and photo-luminescence studies on intrinsic and cr-doped ZnSe single crystals
机译:
本征和掺杂Cr的ZnSe单晶的拉曼光谱和光致发光研究
作者:
Brajesh K.Pai
;
Bhaskar S
;
H.D.Bist
;
R.S.Katiyar
;
K.-T.-Chen
;
A.Burger
会议名称:
《Symposium on infrared applications of semiconductors》
|
1997年
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