基于标准CMOS工艺的抗辐射带隙基准电路设计

王鹏

首页> 中文期刊> 《微处理机》 >基于标准CMOS工艺的抗辐射带隙基准电路设计

基于标准CMOS工艺的抗辐射带隙基准电路设计

开具论文收录证明 >>

期刊封面封底目录下载 >>

文献代查 >>

页面导航

摘要
著录项
相似文献
相关主题

摘要

针对标准纳米CMOS工艺下实现的带隙基准电路抗辐射加固性能不高的问题,分析了带隙基准电路中采用的纵向衬底PNP三极管器件由于总剂量辐射效应引起基极漏电流增加、输出电压漂移的原因,探讨了采用栅氧化层隔离发射极的版图优化技术及动态基极漏电流补偿电路设计技术等提高标准CMOS工艺下低压带隙基准电路抗电离总剂量辐射能力的方法.

著录项

来源
《微处理机》 |2016年第3期|13-16|共4页
作者
王鹏;
展开▼
作者单位

中国电子科技集团公司第四十七研究所;

沈阳110032;

展开▼
原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类微电子学、集成电路（IC）;
关键词
总剂量辐射; 互补型金属氧化物半导体; 带隙基准; 三极管; 基极漏电流; 动态电流补偿;

相似文献

中文文献
外文文献
专利

1. 一种基于40nm CMOS工艺的新型温度补偿、高电源抑制比的带隙基准源 [J] . 徐成阳 . 电子产品世界 . 2018,第004期
2. 基于锗硅BiCMOS工艺的射频带隙基准电流源设计 [J] . 孙楷添 ,丁星火 ,张甘英 . 电子与封装 . 2017,第006期
3. 基于BiCMOS工艺可修调的高精度低温度系数带隙基准源设计 [J] . 王文建 . 传感技术学报 . 2017,第005期
4. 基于BiCMOS工艺的带隙基准电压源设计 [J] . 叶鹏 ,文光俊 ,蔡竟业 . 微计算机信息 . 2009,第019期
5. 一款基于BiCMOS工艺的高性能带隙基准电路 [J] . 宋晶 ,刘诗斌 ,谭慧宇 . 电子测量技术 . 2007,第6期
6. 一种基于0．8μm CMOS工艺的斩波调制带隙基准源设计 [C] . 向泱 ,方健 ,张波 . 第十五届全国半导体集成电路、硅材料学术会议 . 2007
7. 基于0.18-μm CMOS工艺的高精度带隙基准源的研究与设计 [A] . 李连辉 . 2016

基于标准CMOS工艺的抗辐射带隙基准电路设计

摘要

著录项

相似文献

相关主题

期刊订阅