一种基于0．8μm CMOS工艺的斩波调制带隙基准源设计

摘要

基于0.8μm的CMOS工艺,设计了一种包含斩波调制运放的电压带隙基准源.采用斩波调制运算放大器消除失调和噪声.HSPICE仿真结果显示,运放闭环增益70dB,基准源的PSRR 95dB.采用环形振荡器产生斩波频率,设定26ns的死区时间,保证运放的正常工作.该带隙基准源能实现低失调低噪声,同时对工艺参数和电源电压的变化具有较强的抑制能力。