首页> 中国专利> 基于标准CMOS工艺的不含无源元件的带隙基准电压源结构

基于标准CMOS工艺的不含无源元件的带隙基准电压源结构

摘要

本发明涉及一种带隙基准电压源结构,主要目的是为达到严格的标准CMOS工艺以及不包含无源元件的设计。其中启动电路的特点是具有良好的通用特性;运放电路重点为减小失调电压做了优化设计,还有利用尾电流分立对管的共模反馈结构,以及MOS对管替代传统阻容元件的米勒补偿设计;带隙核心电路为实现去掉无源元件的目的,用线性区MOS管替代了多晶硅电阻,同时为利用其它原理获得基准电压而又保持标准CMOS工艺的纵向PNP对管设计,优化了输出端的电流镜支路MOS管。此外,在已得到的带隙基准电压基础上,通过灵活配置MOS管的串联结构,能够获得等分电压以及指定电压参考点,这对在数据转换电路以及存储器电路中使用的带隙基准源有很好的实用价值。

著录项

  • 公开/公告号CN103440013B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2014-11-26

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 江苏物联网研究发展中心;

    申请/专利号CN201310389176.6

  • 发明设计人 孙业超;黄卓磊;王玮冰;

    申请日2013-08-30

  • 分类号G05F1/56(20060101);

  • 代理机构32104 无锡市大为专利商标事务所(普通合伙);

  • 代理人曹祖良

  • 地址 214135 江苏省无锡市新区菱湖大道200号中国传感网国际创新园C座

  • 入库时间 2022-08-23 09:22:12

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2019-08-09

    专利权的转移 IPC(主分类):G05F 1/56 登记生效日:20190723 变更前: 变更后: 申请日:20130830

    专利申请权、专利权的转移

  • 2014-11-26

    授权

    授权

  • 2014-11-26

    授权

    授权

  • 2014-01-08

    实质审查的生效 IPC(主分类):G05F1/56 申请日:20130830

    实质审查的生效

  • 2014-01-08

    实质审查的生效 IPC(主分类):G05F 1/56 申请日:20130830

    实质审查的生效

  • 2013-12-11

    公开

    公开

  • 2013-12-11

    公开

    公开

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