公开/公告号CN101266506B
专利类型发明专利
公开/公告日2010-12-01
原文格式PDF
申请/专利权人 深圳赛意法微电子有限公司;
申请/专利号CN200710088615.4
申请日2007-03-16
分类号
代理机构中国专利代理(香港)有限公司;
代理人张雪梅
地址 518048 广东省深圳市福田保税区桃花路52号
入库时间 2022-08-23 09:05:45
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2010-12-01
授权
授权
2008-12-31
实质审查的生效
实质审查的生效
2008-09-17
公开
公开
机译: CMOS工艺中具有高PSRR和低电压的无OPAMP带隙基准电压源
机译: 利用标准CMOS工艺采用表面电流的带隙基准电压源
机译: 带隙基准电压源采用标准cmos工艺采用表面下电流