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董大伟; 吴玉广; 居耀良;
西安电子科技大学微电子;
带隙基准源; 曲率校正; 温度系数; I2PTAT; VPTAT;
机译:未修剪的6.2 ppm /℃大块隔离的曲率校正带隙基准电压源
机译:采用恒流技术的高阶曲率校正CMOS带隙基准电压源
机译:新的曲率校正CMOS带隙基准电压源
机译:Bi-CMOS工艺中具有二阶曲率校正的高精度带隙基准电压源设计
机译:高温SOI CMOS带隙基准电压源
机译:可调带隙:六边形至四角形ZnSe结构转变的模拟证据:具有宽范围可调直接带隙的单层材料(Adv。Sci。12/2015)
机译:一种新的曲率校正CMOS带隙电压参考
机译:用于器件应用的石墨烯带结构和带隙工程的第一性原理研究。
机译:开关电容器,曲率补偿带隙基准电压源
机译:曲率补偿带隙基准电压源
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