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商作起; 徐嘉东;
不详;
GaAs器件; 离子注入; 半导体器件;
机译:多能离子注入在GaAs中形成器件隔离
机译:高能(MeV)离子注入及其在GaAs和InP中的器件应用
机译:GaAs MESFET器件取决于离子注入倾斜度和旋转角度
机译:GaAs生长的半绝缘GaAs衬底的器件表征。离子注入工艺的垂直舟法
机译:快速热退火对MBE生长的光电器件GaAsBi / GaAs异质结构影响的研究。
机译:变质InAs / InGaAs / GaAs量子点异质结构光电压中的双极效应:光敏器件的表征和设计解决方案
机译:关于外延和离子注入的GaAs埋地通道电荷耦合器件的充电处理能力
机译:LsI / VLsI(大规模集成/超大规模集成)离子注入Gaas(砷化镓)IC处理。附录B.用于集成高速逻辑电路的Gaas mEsFET器件的二维建模
机译:通过高能离子注入的晶格匹配的InGaAs / InGaAsP多量子阱结构的光电器件外延层结构及其制造方法
机译:高能离子注入法制备晶格状INGAAS / INGAASP多量子阱结构的光电器件外延结构及其制造方法
机译:通过离子注入制造GAAS半导体器件的方法以及所获得的基板和器件
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