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高建峰; 王茂森; 谢中华; 赵新建; 李拂晓;
南京电子器件研究所;
高温栅; 埋p自对准; 分频器; 数字式;
机译:GaAs异质结FET分频器,采用高产0.5μm直写三级栅电阻制造
机译:在黑暗和光照条件下亚微米栅长离子注入GaAs MESFET的电流(I)-电压(V)特性的分析模型
机译:用于无线应用的低功率0.25微米栅离子注入D模式GaAs MESFET的噪声性能
机译:80 nm-200 nm栅长的比较Al / sub 0.25 / GaAs / GaAs / Al / sub 0.25 / GaAs,Al / sub 0.3 / GaAs / In / sub 0.15 / GaAs / GaAs和In / sub 0.52 / AlAs / In /低于0.65 / GaAs / InP HEMT
机译:用于77 GHz汽车雷达的离子注入式GaAs MESFET MMIC。
机译:栅GaAs二维电子气中自旋间隙的直接测量
机译:暗和光照条件下的短栅长离子注入GaAs Mesfets的二维(2D)电势分布模型
机译:LsI / VLsI(大规模集成/超大规模集成)离子注入Gaas(砷化镓)IC处理。附录B.用于集成高速逻辑电路的Gaas mEsFET器件的二维建模
机译:用于全栅栅晶体管的GaAs上的准同晶InGaAs
机译:GaAs单晶的离子注入控制方式无效及其生产方式和GaAs
机译:离子注入方式对GaAs晶片及其生产方式和GaAs无效
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