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徐志元;
无;
机译:氮氧化锗的电学性质及其与电子回旋共振等离子体氧化和氮化制备的锗的界面
机译:等离子体氧化,氮氮化,氮化电气性能栅极绝缘膜中含有栅极绝缘膜中贵气体的影响
机译:使用等离子体氧化和等离子体氮化为低功率CMOS器件形成HFSION栅极绝缘膜
机译:利用高密度等离子体氧化和氮化法在锗高-砷中进行低D it inf>优化界面层门叠
机译:硅(011)和硅锗(011)气源分子束外延:表面重建,生长动力学和锗偏析。
机译:常压等离子体氧化氮化制备的Si上SiOxNy层的界面特性
机译:通过电子回旋共振等离子体氧化在(100)si衬底上生长的薄(<10nm)siO(sub 2)膜的结构和界面特性。
机译:金属碳氮化物膜或半金属碳氮化物膜的制造方法,金属碳氮化物膜或半金属碳氮化物膜的制造装置,金属碳氮化物膜或半金属碳氮化物膜
机译:利用硅锗膜和硅锗的生产方式以及硅锗膜来生产的半导体设备零
机译:生产用于锗半导体的高质量锗-锗氮化物界面的方法以及由此生产的器件
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