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Method for manufacturing metal carbonitride film or semimetal carbonitride film, apparatus for producing metal carbonitride film or semi-metal carbonitride film, metal carbonitride film or semimetal carbonitride film

机译:金属碳氮化物膜或半金属碳氮化物膜的制造方法,金属碳氮化物膜或半金属碳氮化物膜的制造装置,金属碳氮化物膜或半金属碳氮化物膜

摘要

A method and an apparatus capable of forming a metal carbonitride film or a semimetal carbonitride film at a low temperature are provided. A plurality of R's may be the same or different and each represents a hydrogen atom, a linear, branched or cyclic alkyl group having 1 to 5 carbon atoms , Or a trialkylsilyl group having 1 to 9 carbon atoms, provided that a plurality of R's may be bonded to each other to form a ring), a nitrogen source containing a guanidine compound represented by a metal source Or semimetal source are supplied onto the object to be film-formed to form a metal carbon nitride film or a semi-metal carbonitride film.
机译:提供了一种能够在低温下形成金属碳氮化物膜或半金属碳氮化物膜的方法和设备。多个R可以相同或不同,并且每个代表氢原子,具有1至5个碳原子的直链,支链或环状烷基,或具有1至9个碳原子的三烷基甲硅烷基,条件是多个R可以彼此结合形成环),将包含由金属源或半金属源表示的胍化合物的氮源供应到待成膜的物体上,以形成金属氮化碳膜或半金属碳氮化物膜。 。

著录项

  • 公开/公告号JPWO2016088500A1

    专利类型

  • 公开/公告日2017-05-25

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 宇部興産株式会社;

    申请/专利号JP20160562355

  • 发明设计人 白井 昌志;二瓶 央;

    申请日2015-11-04

  • 分类号C23C16/36;C23C16/42;H01L21/318;H01L21/31;

  • 国家 JP

  • 入库时间 2022-08-21 13:53:29

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