机译:来自四甲基二硅氮烷源的碳氮化硅薄膜的远程氢微波等离子体CVD。第1部分:薄膜的工艺和结构表征
film structure; film surface morphology; RPCVD; silicon carbonitride film; tetramethyldisilazane precursor; CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION; SINGLE-SOURCE PRECURSORS; SICN FILMS; THIN-FILMS; SURFACE-MORPHOLOGY; GROWTH-MECHANISM; NITRIDE; HEXAMETHYLDISILAZANE; NITROGEN; RPECVD;
机译:来自四甲基二硅氮烷源的碳氮化硅薄膜的远程氢微波等离子体CVD。第1部分:薄膜的工艺和结构表征
机译:从四甲基二硅氮烷源进行远程氢氮等离子体化学气相沉积。第1部分。沉积非晶氢化碳氮化硅薄膜的过程,结构和表面形态的机理
机译:从(二甲基氨基)二甲基硅烷前体进行的远程氢微波等离子体化学气相沉积碳氮化硅膜:膜的工艺,化学结构和表面形态的表征
机译:远程等离子体CVD使用沉默排出四乙酯硅酸盐的氧化硅膜膜质量的表征
机译:通过等离子体CVD控制氢化非晶硅膜和结构中的体积和界面特性。
机译:新型金刚石薄膜合成策略:无氢的微波等离子体CVD法制备甲醇和氩气氛
机译:通过远程氢微波等离子体CVD由三乙基硅烷前体形成的非晶氢化碳化硅(a-SiC:H)膜的生长机理和化学结构:第1部分