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王秀陶;
中国电子学会;
低压;
机译:分析低应力氮化硅沉积的LPCVD工艺条件。第一部分:初步LPCVD实验
机译:LPCVD富硅氮化硅热氧化制备的氧氮化硅的电荷俘获应力效应
机译:LPCVD和PECVD沉积的氮化硅膜的特征研究
机译:在(100)和(111)硅表面沉积LPCVD氮化硅的比较研究
机译:用于大型集成电路的LPCVD难熔金属/硅化物互连材料的系统研究
机译:多尺度和原位显微镜微型氮化硅 - 氮化硅 - 石墨烯复合材料的微观结构和断裂机理研究
机译:LPCVD用于微机械的富硅氮化硅薄膜,已通过统计实验设计进行了研究
机译:CVD反应器中化学和传输现象的详细建模。应用于钨LpCVD(Gedetailleerde modellering van Chemie en Transportverschijnselen in CVD Reactoren。Toepassing op Wolfraam LpCVD)
机译:位移传感器主要用于研究植物的生长动力学
机译:低应力低氢气LPCVD氮化硅
机译:低应力低氢LPCVD氮化硅
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