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刘春荣; 孙兆奇;
不详;
锗; 等离子体; 氧化; 氮化;
机译:氮氧化锗的电学性质及其与电子回旋共振等离子体氧化和氮化制备的锗的界面
机译:2.使用麦克风端口波表面波等离子体氧化氮化氮化
机译:氧气压力对氮化钛表面等离子体氧化过程的影响
机译:利用高密度等离子体氧化和氮化法在锗高-砷中进行低D it inf>优化界面层门叠
机译:等离子体氧化的TiN扩散阻挡层的表征(法文,氮化钛)。
机译:常压等离子体氧化氮化制备的Si上SiOxNy层的界面特性
机译:锗中锗氮化物介电层的界面特性
机译:生产用于锗半导体的高质量锗-锗氮化物界面的方法以及由此生产的器件
机译:抛光硅和锗的混合物,抛光硅或锗表面以及具有硅或锗表面的物体的方法。用此方法抛光。
机译:制备硅锗层,包括在由单晶硅制成的具有表面的基板上沉积渐变的硅锗缓冲层,以及在硅锗缓冲层上沉积硅锗层。
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