プラズマ酸化、酸窒化、窒化によるゲート絶縁膜中に含まれる希ガス原子が電気的特性に与える影響

摘要

マイクロ波励起高密度プラズマによって、400°Cの低温で、熱酸化膜をもしのぐ膜質の高品質ゲート絶縁膜(SiO{sub}2、Si{sub}3N{sub}4)の形成が実現されている。 この膜中にプラズマ中に存在する希ガスが残留していることを明らかにするとともに、またマイクロ波励起高密度プラズマによって形成された酸化膜及び酸窒化膜、窒化膜の膜中に残留するKrの熱処理による挙動とそれが膜成長、電気的特性に与える影響を明らかにした。