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冯文修; 陈蒲生; 黄世平;
华南理工大学应用物理系;
香港中文大学电子工程学系;
二氧化硅; 热氮化; 氮分布; 氮化机理;
机译:超薄氧氮化硅膜各种键合形式的氮原子深度分布
机译:氮原子的深度方向分布在超薄氧氮化硅膜的各种结合形式中
机译:通过远程等离子体增强CVD和沉积后快速热退火制备的具有氮化的Si-SiO / sub 2 /界面的超薄氮化硅/氧化物堆叠栅极电介质的PMOSFET的性能和可靠性
机译:控制使用氧和氮自由基形成的超薄氧氮化膜中氮的浓度和位置
机译:氮化硅膜中的热传输和新型材料的远红外研究。
机译:多尺度和原位显微镜微型氮化硅 - 氮化硅 - 石墨烯复合材料的微观结构和断裂机理研究
机译:用原子层沉积获得超薄超导氮化物膜的研究
机译:siO2 / si热氮化形成的siO(x)N(y)/ si结构中氮的分布和缺陷
机译:快速热氮处理在Si(100)上生长超薄氮化物
机译:利用NH 3 Sub>氮化和沉积后快速热退火制备具有改善的介电性能的超薄二氧化硅栅极的方法
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