極薄シリコン酸窒化膜の種々の結合形態にある窒素原子の深さ方向分布

摘要

シリコン酸化膜の窒素プラズマ中窒化処理により形成した膜厚約1nmのシリコン酸窒化膜中の種々の結合形態にある窒素原子の分布を、角度分解Si 2p·N 1s光電子スペクトルに最大エントロピー法を適用することにより調べた。 その結果、NO窒化により形成したシリコン酸窒化膜とは異なり、窒素原子の第一近接原子3個が全てがシリコン原子、第二近接原子9個全てが酸素原子となる結合形態が主成分となり表面近傍および界面近傍に存在することが分かった。